1V5KE33A

制造商：ON

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• P6KE22A單向TVS瞬態(tài)抑制二極管：600W功率22V單向精準(zhǔn)防護(hù)

  P6KE22A單向TVS瞬態(tài)抑制二極管：600W功率22V單向精準(zhǔn)防護(hù)

  2026-01-08
• XM8A51216V33A在功能上等效于異步SRAM

  ...構(gòu)來顯著提高內(nèi)存密度，性能并簡化用戶界面。 XM8A51216V33A在功能上等效于異步SRAM，是一種高性能8Mbit CMOS存儲(chǔ)器，組織為512K字乘16位和1024K字乘8位，支持異步SRAM存儲(chǔ)器接口。星憶存儲(chǔ)代理英尚微電子支持提供例程及產(chǎn)品應(yīng)用解...

  2020-09-09
• XM8A01M16V33A在功能上等效于異步SRAM

  XRAM是一種旨在以具有競爭力的價(jià)格提供高密度和高性能ram的新型內(nèi)存體系結(jié)構(gòu).XRAM使用先進(jìn)的DRAM技術(shù)和自刷新體系結(jié)構(gòu)顯著提高了內(nèi)存密度并簡化了用戶界面。 XRAM是一種基于先進(jìn)的DRAM工藝，再結(jié)合星憶創(chuàng)新的三態(tài)DRAM和免刷新D...

  2020-09-09
• 國產(chǎn)星憶高速異步X型隨機(jī)存儲(chǔ)芯片XM8A01M16V33A功能上等效于異步SRAM

  XRAM是一種旨在以具有競爭力的價(jià)格提供高密度和高性能ram的新型內(nèi)存體系結(jié)構(gòu).XRAM使用先進(jìn)的DRAM技術(shù)和自刷新體系結(jié)構(gòu)顯著提高了內(nèi)存密度并簡化了用戶界面。 XRAM是一種基于先進(jìn)的DRAM工藝，再結(jié)合星憶創(chuàng)新的三態(tài)DRAM和免刷新D...

  2020-09-09
• 33v穩(wěn)壓芯片的工作過程，33v穩(wěn)壓芯片的好壞檢測

  首先，33V穩(wěn)壓芯片接收來自電源的輸入電壓。這個(gè)輸入電壓通常是不穩(wěn)定的，它可能會(huì)受到各種因素的影響而波動(dòng)。輸入電壓的范圍通常大于33V，例如40V到50V。穩(wěn)壓芯片的首要任務(wù)是將這個(gè)不穩(wěn)定的電壓調(diào)節(jié)為穩(wěn)定的33V輸出。

  2024-08-13
• 利用48V-1V轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)汽車穩(wěn)定運(yùn)行的GaN變換器

  傳統(tǒng)的轉(zhuǎn)換系統(tǒng)采用電感電流控制系統(tǒng)，它用于檢測交流和直流部分輸入電流，它們具有并聯(lián)電阻，導(dǎo)致了不同類型的傳導(dǎo)損耗。在SC轉(zhuǎn)換器的情況下，并聯(lián)電阻器串聯(lián)電容，并限制在輸出電感中產(chǎn)生的波紋，以提供高效率和更...

  2020-09-25
• 關(guān)于1V輸入得到0.8V輸出分析和介紹

  再回到我們的思考主線上來。既然RT2568需要1.1V以上的輸出電壓才能工作，我們是否要把1V的輸入提升以后再供給它呢？不用，那樣一來電路就復(fù)雜了，效率也變差了，我們還有別的法寶可供選擇，它是RT9174。

  2019-10-11
• 1N5364B 直插 DO-201 33V 穩(wěn)壓二極管

  1N4752A、SMA4752A、SML4752A、1N5937B、SMA5937B、2EZ33D5、SMB2EZ33D5、3EZ33D5、SMA3EZ33D5、SMB3EZ33D5、1

  2022-10-12

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