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該N溝道增強模式場效應晶體管采用飛兆專有的高單元密度DMOS技術生產(chǎn)。 這款產(chǎn)品旨在最大限度地降低導通阻抗,同時提供穩(wěn)固、可靠、快速的開關性能。 可用于大部分需要高達400mA直流電流的應用,并且能夠提供高達2A的脈沖電流。 這款產(chǎn)品特別適合低壓、低電流應用(如小型伺服電機控制、功率MOSFET柵極驅動器)以及其他開關應用中。
高密度單元設計可實現(xiàn)極低的 R
。
電壓控制的小型信號開關。
堅固而可靠。
高飽和電流能力。
產(chǎn)品分類 | ||
FET配置(電路類型) | N溝道 | |
漏源擊穿電壓V(BR)dss | 60V | |
漏極電流(Id, 連續(xù)) | 115mA(Ta) | |
導通電阻 Rds(on) | 7歐姆 | |
閾值電壓Vgs(th) | 2.5V@250μA | |
最大耗散功率 | 225mW | |
封裝/外殼 | SOT-23-3(SC-59,TO-236-3) |
| 型號 | 制造商 | 描述 | 購買 |
|---|---|---|---|
| 2N7002 | TK | MOSFETs N-溝道 60V 115mA SOT-23 | 立即購買 |
| 2N7002 | MDD | 類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):60V 連續(xù)漏極電流(Id):500mA 功率(Pd):300mW | 立即購買 |
| 2N7002 | SK | MOSFETs N-溝道 60V 430mA SOT-23 | 立即購買 |
| 2N7002 | Hottech | MOSFETs N-Channel Vdss:60V Id:115mA Pd:225mW SOT23 | 立即購買 |
| 2n7002 | JCET | MOSFETs N-Channel Vdss=60V Id=115mA Pd=225mW SOT23-3 | 立即購買 |
| 2N7002 | NXP | N溝道 60V 0.115A | 立即購買 |
中扮演著開關、放大器等角色。 1. 2N7000系列 型號 :2N7002、2N7005、2N7007、2N7008 類型 :N溝道增強型MOSFET 最大電壓 :60V(2N7002)、30V
2N7002KM是一款采用SOT-723超小封裝的N溝道增強型MOSFET,具有六十伏特耐壓能力和零點三四安培連續(xù)電流承載能力。這款產(chǎn)品的突出特點在于其零點九歐姆的導通電阻配合八千伏特的ESD防護
Texas Instruments SN74LVC7002A/SN74LVC7002A-Q1四通道雙輸入或非門包含四個獨立的雙輸入或非門,具有施密特觸發(fā)輸入。每個邏輯門以正邏輯執(zhí)行布爾函數(shù)Y=A+B
該UTC 2N7002 已被設計為減小導通阻力,而提供堅固,可靠,快速切換性能。它可以在需要高達大多數(shù)應用中使用 400毫安DC,并且可以提供脈沖電流高達2A.該產(chǎn)品特別適用于低電壓,低電流應用,例如作為小型伺服電機控制,功率M...
威兆半導體推出的VS2N7002K是一款面向60V低壓小信號場景的N溝道增強型MOSFET,采用SOT23小型封裝,適配低功率信號開關、電源管理等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強型小信號
Nordic nRF7002 完美補充 Nordic 蜂窩物聯(lián)網(wǎng)和多協(xié)議無線解決方案,幫助物聯(lián)網(wǎng)應用開發(fā)人員有效利用 Wi-Fi 6 的更高吞吐量和無處不在的家居和工業(yè)基礎設施。
Analog Devices Inc. ADPA7002功率放大器是砷化鎵 (GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT)、單片微波集成電路 (MMIC)、28dBm (1/2W) 放大器。ADPA7002集成溫度補償片上功率檢測器,工作頻率范圍為18GHz至44GHz。
該電路的核心在于電路中的MOS場效應管(2N7002)。它和三極管的功能很相似,可做開關使用,即可控制電路的通和斷。不過比起三極管,MOS管有挺多優(yōu)勢,后面將會詳細講起。
| 24AA16H | 24C01C | 2SA2029M3 | 2SB815 |
| 2SA2039 | 24AA014 | 2222a | 2SA2169 |
| 2N5401 | 2N6043 | 2N6039 | 2SC5226A |
| 2450BM15A0002E | 2N6038 | 2N6109 | 24AA02E64 |
| 2N6040 | 24c04 | 2N6036 | 2N5550 |