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產(chǎn)品信息

電路圖、引腳圖和封裝圖

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應(yīng)用案例更多案例

• 共聚焦顯微鏡如何檢測(cè)半導(dǎo)體增材膜形貌與缺陷

  在微電子、光電子等高端領(lǐng)域，半導(dǎo)體增材膜的性能與其三維形貌及內(nèi)部缺陷高度關(guān)聯(lián)，表面粗糙度影響器件電學(xué)接觸穩(wěn)定性，孔隙、裂紋等缺陷則直接決定薄膜的機(jī)械強(qiáng)度與服役壽命。共聚焦顯微鏡憑借其高分辨率三維成像能力，成為揭示半導(dǎo)體增材膜微觀形貌與內(nèi)部缺陷的關(guān)鍵工具，為工藝優(yōu)化與質(zhì)量評(píng)估提供了可靠依據(jù)。下文，光子灣科技將從測(cè)量原理、參數(shù)優(yōu)化、形貌分析、缺陷表征、技術(shù)特性及

  2025-10-01
• 穿越高溫地層：加速度計(jì)如何成為石油鉆井的核心感官

  在向地層深處探尋能源的旅程中，隨鉆測(cè)量系統(tǒng)猶如鉆井的“神經(jīng)系統(tǒng)”，而高精度的加速度計(jì)正是系統(tǒng)中不可或缺的“核心感官”。ER-QA-03F小尺寸高溫石英加速度計(jì)，以其卓越的環(huán)境適應(yīng)性與穩(wěn)定的信號(hào)輸出，在數(shù)千米的地下極端環(huán)境中持續(xù)工作，實(shí)時(shí)捕捉鉆具每一刻的加速度變化，為導(dǎo)航系統(tǒng)提供最原始的動(dòng)態(tài)數(shù)據(jù)，將不可見的地下運(yùn)動(dòng)轉(zhuǎn)化為可決策的精準(zhǔn)信息，已成為現(xiàn)代高效、安全鉆

  2025-12-12
• 華為Mate 70系列銷量或破千萬臺(tái)

  余承東號(hào)稱“華為有史以來最強(qiáng)大的Mate”華為Mate 70系列馬上就要發(fā)布了，大家期待嗎？??華為Mate 70系列的預(yù)計(jì)銷量肯定也是很多人都關(guān)注的。 華為Mate70系列線上(包括華為商城、京東、天貓)預(yù)約量已經(jīng)突破500萬,華為Mate70系列預(yù)約火爆；不比Mate60差，那Mate70的銷量怎么都至少會(huì)突破Mate60。大概率會(huì)超過Mate60的1500萬臺(tái)。 華為Mate 70系列搭載原生鴻蒙系統(tǒng)，這個(gè)肯定一大賣點(diǎn)， 另外，華為Mate70全新AI手勢(shì)技術(shù)；這個(gè)肯定也是一個(gè)亮點(diǎn)。 有行業(yè)人士分析了華

  2024-11-26
• 別以為只有多層板，手機(jī)電腦線路板工藝多著呢！

  作為捷多邦的產(chǎn)品經(jīng)理，我們?cè)谑謾C(jī)和電腦這類高頻使用設(shè)備的線路板業(yè)務(wù)方面有所涉及。除了最基本的多層板工藝之外，還有一些工藝也發(fā)揮著關(guān)鍵作用。 高密度互連（HDI）工藝在當(dāng)下備受青睞。手機(jī)和電腦不斷追求小型化和高性能，HDI 工藝正好滿足這一需求。在手機(jī)中，它利用更小的線寬、間距和微孔技術(shù)，在有限空間集成更多線路與元件。像手機(jī)里的 5G 模塊、高像素?cái)z像頭電路等復(fù)雜部分，都依靠 HDI 工藝實(shí)現(xiàn)高效布局，提升了手機(jī)的性能和功

  2024-12-22
• 大眾汽車勞資協(xié)議達(dá)成，管理層面臨減薪

  近日，大眾汽車集團(tuán)與工會(huì)代表經(jīng)過談判，最終達(dá)成了勞資協(xié)議。據(jù)悉，該協(xié)議旨在避免工廠因運(yùn)營(yíng)原因而關(guān)閉和裁員，同時(shí)確保公司的長(zhǎng)期發(fā)展。 作為協(xié)議的一部分，近4000名大眾汽車經(jīng)理將在明年和2026年放棄相當(dāng)于其年收入10%左右的獎(jiǎng)金。這一減薪措施將持續(xù)到本十年末，對(duì)公司管理層來說是一次不小的經(jīng)濟(jì)壓力。此外，工會(huì)成員還呼吁包括CEO奧博穆在內(nèi)的高層領(lǐng)導(dǎo)放棄10%以上的工資，以進(jìn)一步體現(xiàn)公司的團(tuán)結(jié)和共同應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn)的決心。 大眾汽車集團(tuán)

  2024-12-24
• 多協(xié)議讀卡芯片--DP1363F介紹

  多協(xié)議讀卡器是指在一臺(tái)設(shè)備中集成多種射頻通信協(xié)議的讀卡終端。

  2025-12-12
• 5G和AI加持！智物聯(lián)躍上新臺(tái)階，海思、芯昇和樂鑫新品匯總

  萬物互聯(lián)時(shí)代，各種應(yīng)用終端呈現(xiàn)碎片化和多樣化的特點(diǎn)，對(duì)內(nèi)核架構(gòu)有了新的需求，開源開放的RiSC-V架構(gòu)順勢(shì)而生。 ? 作為開源指令集架構(gòu)， RiSC-V正在成為和X86、ARM并列的第三大主流計(jì)算架構(gòu)，進(jìn)入RiSC-V賽道的全球各地公司日益增多。根據(jù)咨詢公司SHD Group的最新研究，預(yù)計(jì)2024年RISC-V芯片的出貨量將超過18億顆，2030年將超過160億顆，年復(fù)合增長(zhǎng)率超過40%。 ? 今年，物聯(lián)網(wǎng)和AI結(jié)合的AIoT將成為主流，進(jìn)一步推動(dòng)千行百業(yè)的智能化升級(jí)。中移動(dòng)芯昇、海思

  2024-07-11
• 碳化硅SiC在電子器件中的應(yīng)用

  隨著科技的不斷進(jìn)步，電子器件的性能要求也日益提高。傳統(tǒng)的硅（Si）材料在某些應(yīng)用中已經(jīng)接近其物理極限，尤其是在高溫、高壓和高頻領(lǐng)域。碳化硅（SiC）作為一種寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體材料，因其卓越的電學(xué)和熱學(xué)性能，成為了許多高性能電子器件的首選材料。 碳化硅的基本特性 碳化硅是一種由碳和硅原子組成的化合物半導(dǎo)體材料，具有以下特性： 寬帶隙 ：SiC的帶隙約為3.23 eV，遠(yuǎn)高于硅的1.12 eV，這使得SiC器件能夠在更高的電壓和溫度下工作。

  2024-11-26

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