AD7866

制造商：ADI/AD

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電路圖、引腳圖和封裝圖

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• ?DAC8311與DAC8411數(shù)據(jù)手冊核心內(nèi)容總結(jié)

  DAC8311（14位）和DAC8411（16位）設(shè)備是低功耗、單通道、電壓 輸出數(shù)字轉(zhuǎn)模擬轉(zhuǎn)換器（DAC）。它們提供了極佳的線性，并最大限度地減少了不必要的處理 代碼間瞬態(tài)電壓，同時在兼容引腳的家族內(nèi)提供便捷的升級路徑。 所有設(shè)備都采用多功能的三線串行接口，時鐘頻率最高可達(dá)50 MHz 并且與標(biāo)準(zhǔn)SPI兼容， QSPI、Microwire和數(shù)字信號處理器（DSP） 接口。

  2025-11-25
• thd在電氣工程中的作用

  在電氣工程領(lǐng)域，電力系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性至關(guān)重要。隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，非線性負(fù)載的廣泛應(yīng)用導(dǎo)致了電力系統(tǒng)中諧波失真的問題日益嚴(yán)重。 THD的定義 THD是指在周期性信號中，所有諧波分量的均方根值與基波分量的均方根值之比。它是一個無量綱的數(shù)值，通常以百分比表示。THD越小，說明信號中的諧波失真越小，電能質(zhì)量越高。 THD的測量方法 THD的測量通常采用傅里葉變換（FFT）技術(shù)。通過對信號進(jìn)行FFT分析，可以得到信號的頻譜，進(jìn)而計(jì)算

  2025-01-04
• 智融科技SW1125芯片榮獲2025“中國芯”芯火新銳產(chǎn)品獎

  2025年11月14日，由中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院組織的“中國芯”集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會暨第二十屆“中國芯”優(yōu)秀產(chǎn)品征集結(jié)果發(fā)布儀式，在橫琴粵澳深度合作區(qū)天沐琴臺會議中心成功舉辦。智融科技集成氮化鎵的高頻準(zhǔn)諧振模式反激變換器 SW1125，從數(shù)百項(xiàng)申報(bào)產(chǎn)品中脫穎而出，榮獲本屆“中國芯”芯火新銳產(chǎn)品獎。

  2025-11-19
• 輕松看懂貼片二極管

  二極管區(qū)分方式

  2025-10-18
• 高速CMOS邏輯4位二進(jìn)制全加器CDx4HC283和CDx4HCT283技術(shù)詳解

  高速CMOS邏輯4位二進(jìn)制全加器CDx4HC283和CDx4HCT283技術(shù)詳解 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，加法器是實(shí)現(xiàn)數(shù)字運(yùn)算的基礎(chǔ)元件之一。今天我們要深入探討的是TI公司的CD54HC283、CD74HC283、CD54HCT283和CD74HCT283這幾款高速CMOS邏輯4位二進(jìn)制全加器，它們在數(shù)字電路設(shè)計(jì)中有著廣泛的應(yīng)用。 文件下載： CD74HCT283E.pdf 一、器件特性 1. 加法功能強(qiáng)大 這些器件能夠?qū)崿F(xiàn)兩個二進(jìn)制數(shù)的相加，并且具備全內(nèi)部先行進(jìn)位功能，快速的紋波進(jìn)位設(shè)計(jì)使得其在進(jìn)行經(jīng)濟(jì)擴(kuò)展時非常方便。無論是處

  2025-12-29
• 國巨AC0603車規(guī)MLCC家族在六大系統(tǒng)的典型應(yīng)用

  AC系列是YAGEO針對汽車電子、工業(yè)及高可靠性場景推出的車規(guī)MLCC平臺，尺寸覆蓋0201~1206，介質(zhì)涵蓋I類（NP0/C0G）與II類（X7R）。今天，國巨代理南山電子說一說國巨AC0603車規(guī)MLCC家族在六大系統(tǒng)的典型應(yīng)用，其中0603尺寸包括AC0603JPNPO、AC0603JRNPO、AC0603JRX7R、AC0603KPX7R、AC06

  2025-09-20
• vlookup兩個表怎么匹配相同數(shù)據(jù)

  VLOOKUP是一種非常有用的Excel函數(shù)，它可以幫助我們在兩個表中匹配相同的數(shù)據(jù)。在本文中，我們將詳細(xì)介紹VLOOKUP函數(shù)的工作原理，并通過示例方式演示如何將兩個表匹配起來。 首先，我們需要明確VLOOKUP函數(shù)的語法和參數(shù)。VLOOKUP函數(shù)的語法如下： VLOOKUP(lookup_value, table_array, col_index_num, [range_lookup]) lookup_value: 需要在第一個表中查找的值。 table_array: 第一個表的區(qū)域范圍，包括要查找的值和相關(guān)的數(shù)據(jù)。 col_index_num: 返回結(jié)果所在的列位置，以第一個列為1計(jì)

  2023-12-01
• onsemi NXH015F120M3F1PTG 碳化硅功率模塊技術(shù)解析

  安森美 (onsemi) NXH015F120M3F1PTG碳化硅 (SiC) 模塊采用15mΩ/1200V M3S碳化硅 (SiC) MOSFET全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和帶Al~2~O~3~ DBC陶瓷基板的熱敏電阻，封裝為F1型。該電源模塊的特點(diǎn)是具有柵極源電壓+22V/-10V、77A漏極連續(xù)電流（在T~C~ = 80°C時（T~J~ = 175°C）、198W最大功率耗散和12.7mm爬電距離。NXH015F120M3F1PTG SiC MOSFET提供預(yù)涂熱界面材料（TIM）和無預(yù)涂熱界面材料。該SiC模塊無鉛、無鹵化物，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。典型應(yīng)用包括太陽能逆變器、不間斷電源、電動汽車充電站和工業(yè)電源。

  2025-11-23

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