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優(yōu)勢和特點
14位分辨率、無失碼
吞吐速率:2.5 MSPS(TURBO高),2.0 MSPS(TURBO低)
低功耗15.5 mW(2.5 MSPS,外部基準(zhǔn)電壓源)28 mW(2.5 MSPS,內(nèi)部基準(zhǔn)電壓源)
INL:±0.25 LSB(典型值),±1.0 LSB(最大值)
SNR84 dB(采用片內(nèi)基準(zhǔn)電壓源)84.5 dB(采用外部基準(zhǔn)電壓源)
4.096 V內(nèi)部基準(zhǔn)電壓源:典型漂移±10 ppm/°C
偽差分模擬輸入電壓范圍0 V 至 VREF(VREF最高為5.0 V)可以使用任何輸入范圍
無流水線延遲
邏輯接口:1.8 V/2.5 V/2.7 V
串行接口:SPI/QSPI/MICROWIRE/DSP兼容
以菊花鏈形式連接多個ADC和忙閑指示功能
20引腳、4 mm × 4 mm LFCSP (QFN)封裝
產(chǎn)品詳情
AD7944是一款14位、2.5 MSPS逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器(SAR ADC)。它內(nèi)置一個低功耗、高速、14位采樣ADC、一個內(nèi)部轉(zhuǎn)換時鐘、一個內(nèi)部基準(zhǔn)電壓源(和緩沖)、糾錯電路以及一個多功能串行接口端口。在CNV上升沿,AD7944對IN+與IN-之間的模擬輸入電壓差進(jìn)行采樣,范圍從0 V至VREF。該器件具有兩種采樣模式:極高采樣速率turbo模式(TURBO高);低功耗正常模式(TURBO低),適用于低功耗應(yīng)用,其功耗與吞吐量呈比例關(guān)系。正常模式(TURBO低)下,SPI兼容型串行接口還能夠利用SDI輸入,將幾個ADC以菊花鏈形式串聯(lián)到單三線式總線上,并提供一個可選的忙閑指示。采用獨立電源(VIO)時,該串行接口與1.8 V、2.5 V和2.7 V電源兼容。
AD7944采用20引腳LFCSP封裝,工作溫度范圍為?40°C至+85°C。
應(yīng)用電池供電設(shè)備
通信
自動測試設(shè)備
數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)
醫(yī)療儀器
德州儀器近日表示,盡管當(dāng)前市場面臨波音從罷工中恢復(fù)所帶來的商業(yè)原始設(shè)備制造商生產(chǎn)速度的不確定性,以及供應(yīng)鏈的持續(xù)影響,但出貨量已開始呈現(xiàn)向上趨勢。
當(dāng)前,“MCU+”戰(zhàn)略已然成為半導(dǎo)體公司重要的發(fā)展戰(zhàn)略之一,旨在通過微控制器單元(MCU)的功能擴(kuò)展和集成創(chuàng)新,提升產(chǎn)品競爭力和市場價值。對于國產(chǎn)半導(dǎo)體廠商而言,“MCU+”戰(zhàn)略也是實現(xiàn)差異化競爭的重要手段。
為激發(fā)開發(fā)者潛能、促進(jìn)技術(shù)交流,RT-Thread 正式啟動2025年度嵌入式軟件大賽! 本賽道為嵌入式軟件大賽,聚焦嵌入式軟件設(shè)計與開發(fā),攜手瑞薩、英飛凌、ST、恩智浦、富瀚微、玄鐵、兆易創(chuàng)新等全球頂尖芯片廠商,以及電子發(fā)燒友等合作伙伴,為開發(fā)者提供展示編程能力與創(chuàng)新思維的頂級舞臺。參賽者將基于主流嵌入式平臺,實現(xiàn)高效、智能、可靠的軟件方案,探索嵌入式系
引言 電容是一種能夠存儲電荷的電子元件,廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。在高頻交流電路中,電容的作用尤為重要。高頻交流電路通常指的是頻率在幾十kHz到幾百MHz甚至更高的電路。在這類電路中,電容不僅能夠?qū)崿F(xiàn)基本的儲能功能,還能夠?qū)崿F(xiàn)濾波、耦合、去耦、諧振等多種功能。 電容的基本概念和特性 2.1 電容的定義 電容是一種能夠存儲電荷的電子元件,其單位為法拉(F)。電容的大小與兩個導(dǎo)體之間的距離、面積和介質(zhì)的介電常數(shù)有關(guān)。電容的
中國智能汽車對于DMS方案高功能化的需求,促進(jìn)了硬件廠商之間的緊密合作。各家高算力芯片廠商紛紛與傳感器廠商展開合作,實現(xiàn)軟件、硬件和算法整合,提供了完整的DMS方案,從而轉(zhuǎn)變?yōu)榱薚ier X的全新供應(yīng)商角色。
2025 年12月4日至6日第二屆CCF程序員大會暨大理人工智能與應(yīng)用國際開發(fā)者大會在大理圓滿落幕。
近日,華為董事長梁華在廣東省高質(zhì)量發(fā)展大會上透露,華為在2024年取得了顯著的經(jīng)營成果。盡管面臨諸多挑戰(zhàn),但在全球客戶、合作伙伴及廣大消費者的堅定支持下,華為整體經(jīng)營穩(wěn)健,達(dá)到預(yù)期目標(biāo)。
在追求高效能、高可靠性功率半導(dǎo)體技術(shù)的道路上邁出關(guān)鍵一步,打破車規(guī)級功率半導(dǎo)體性能邊界 近日,鎵未來正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9mΩ 車規(guī)級氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)。這款完全符合汽車 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)的 650V 氮化鎵分立器件,以全球最小的 9mΩ 導(dǎo)通電阻(Rds(on)),引起行業(yè)內(nèi)廣泛關(guān)注,迅速成為氮化鎵功率半導(dǎo)體在新能源汽車領(lǐng)域性能優(yōu)化的新標(biāo)桿。 產(chǎn)品亮點 憑什么成為業(yè)界同規(guī)格產(chǎn)品標(biāo)桿? 鎵未來 G2E65R009 系列產(chǎn)品封裝外形:TO-247
| AD8601 | ADM2484E | ADL5354 | AD9430 |
| ADN2882 | ADPD2211 | ADP195 | ADL5602 |
| AD5066 | ATMEGA16L-8MU | ADS7871 | AD7622 |
| AT91SAM9260B-CU | ADSP-21368 | ADA4004-4 | ATTINY48-AU |
| ADA4930-2 | ADM3053 | AD7986 | ADS8330 |