優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)

  導(dǎo)通電阻：4.7 Ω（最大值，25°C）

  導(dǎo)通電阻平坦度：0.5 Ω

  連續(xù)電流最高達(dá)190 mA

  額定電源電壓：±15 V/12 V/±5 V

  3 V邏輯兼容輸入

  軌到軌工作

  先開后合式開關(guān)動(dòng)作

  16引腳TSSOP和4 mm × 4 mm LFCSP封裝

  下載 ADG1409-EP 數(shù)據(jù)手冊(cè) (pdf)

  軍用溫度范圍：?55°C至+125°C

  受控制造基線

  唯一封裝和測(cè)試廠

  唯一制造廠

  增強(qiáng)型產(chǎn)品變更通知

  認(rèn)證數(shù)據(jù)可應(yīng)要求提供

  V62/12652 DSCC圖紙?zhí)?

產(chǎn)品詳情

ADG1408/ADG1409均為單芯片 iCMOS模擬多路復(fù)用器，分別內(nèi)置8個(gè)單通道和4個(gè)差分通道。ADG1408根據(jù)3位二進(jìn)制地址線A0、A1和A2所確定的地址，將8路輸入之一切換至公共輸出。ADG1409根據(jù)2位二進(jìn)制地址線A0和A1所確定的地址，將4路差分輸入之一切換至公共差分輸出。兩款器件均提供EN輸入，用來使能或禁用器件。禁用時(shí)，所有通道均關(guān)斷。

工業(yè)CMOS (iCMOS)是一種模塊式制造工藝，集高電壓CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）與雙極性技術(shù)于一體。利用這種工藝，可以開發(fā)工作電壓達(dá)33 V的各種高性能模擬IC，并實(shí)現(xiàn)以往的高壓器件所無法實(shí)現(xiàn)的尺寸。與采用傳統(tǒng)CMOS工藝的模擬IC不同， iCMOS 器件不但可以承受高電源電壓，同時(shí)還能提升性能、大幅降低功耗并減小封裝尺寸。

這些開關(guān)具有超低導(dǎo)通電阻和導(dǎo)通電阻平坦度，對(duì)于低失真性能至關(guān)重要的數(shù)據(jù)采集和增益切換應(yīng)用堪稱理想解決方案。iCMOS結(jié)構(gòu)可確保功耗極低，因而這些器件非常適合便攜式電池供電儀表。

產(chǎn)品特色

  導(dǎo)通電阻：4 Ω。

  導(dǎo)通電阻平坦度：0.5 Ω。

  3 V邏輯兼容數(shù)字輸入，VIH = 2.0 V，VIL = 0.8 V。

  16引腳TSSOP和4 mm × 4 mm LFCSP封裝。

應(yīng)用

  繼電器替代方案

  音頻和視頻路由

  自動(dòng)測(cè)試設(shè)備

  數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)

  溫度測(cè)量系統(tǒng)

  航空電子

  電池供電系統(tǒng)

  通信系統(tǒng)

  醫(yī)療設(shè)備