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產品種類:MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 190 mA
Rds On-漏源導通電阻: 6 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.4 V
Qg-柵極電荷: 0.6 nC
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Reel
通道模式: Enhancement
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 22 ns
正向跨導 - 最小值: 0.41 S
最小工作溫度: - 55 C
Pd-功率耗散: 500 mW
上升時間: 3.2 ns
系列: BSS123
工廠包裝數量: 3000
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 7.4 ns
典型接通延遲時間: 2.3 ns
零件號別名: BSS123N BSS123NH6327XT H6327 SP000870646
單位重量: 1.438 g
BSS123NH6327XTSA1 封裝圖
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SN74LVC1G123：單可重觸發(fā)單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器的設計指南 在電子設計領域中，單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器是一種常用的電路元件，它能產生特定寬度的脈沖信號，在眾多應用場景中發(fā)揮著關鍵作用。今天，我們就來
深入解析SN54AHC123A和SN74AHC123A雙可重觸發(fā)單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器 在電子設計領域，單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器是一種常用的電路元件，可用于產生特定寬度的脈沖信號。今天，我們將深入探討德州儀器
SKG123N系列模塊包括SKG123N、SKG123ND、SKG123NT、SKG123NR和SKG123NRD，是一款L1+L5雙頻段、高精度、高性能的GNSS領域定位模塊，模塊能夠同時支持
| BAS40SL | BQ27421-G1 | BC517 | BQ24070 |
| BZV55-B3V0 | BSR56 | BZV55-C15 | B78108S1823J |
| B82111EC23 | B66287G0000X187 | BQ78350DBT | B59100M1120A70 |
| BAV23CL | BAS21 | BAP64-03 | BFQ540 |
| BD680A | BZV55-B3V3 | BD677 | BD676 |
上傳BOM
工商網監(jiān)