C1005X7R1C104M050BC

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應(yīng)用案例更多案例

• 貼片電容X7R有哪些常見的封裝尺寸?

  約10年變化1%ΔC，每隔10年變化約5%。X7R電容器主要用于要求低的工業(yè)用途，在電壓變化時(shí)容量可以變化的條件下使用。 其主要特征是體積相同，容量大。 貼片電容X7R的常見封裝尺寸包括多種，這些尺寸的選擇通常取決于電路板的空間和電流需求。以下是一些常

  2024-07-23
• 基于X-NUCLEO-SRC1M1 USB Type-C? PD擴(kuò)展板的技術(shù)解析與應(yīng)用指南

  STMicroelectronics X-NUCLEO-SRC1M1 USB Type-C? PD擴(kuò)展板用于評估TCPP02-M18（用于USB Type-C?）和V~BUS~和CC線路保護(hù)的特性

  2025-10-30
• 基于onsemi NVH4L050N170M1碳化硅MOSFET數(shù)據(jù)手冊的技術(shù)解析與應(yīng)用指南

  onsemi NVH4L050N170M1碳化矽（SiC）MOSFET性能卓越，在V~GS~ = 20V時(shí)，典型R~DS(on)~ 為53mΩ。onsemi NVH4L050N170M1

  2025-11-24
• onsemi NVBG050N170M1 碳化矽 MOSFET 技術(shù)解析與應(yīng)用指南

  MOSFET的有效輸出電容較低（典型C~oss~ = 97pF），柵極至源極電壓為-15V/+25V。該碳化硅MOSFET 100%經(jīng)過雪崩測試，采用D2PAK-7L封裝。NVBG050N170M1碳化矽

  2025-11-23
• 貼片電容X5R材質(zhì)和X7R材質(zhì)有什么不一樣

  貼片電容X5R材質(zhì)和X7R材質(zhì)在多個(gè)方面存在顯著的不同。 1、容量和介質(zhì)損耗：X7R材質(zhì)的電容器具有較高的容量和較低的介質(zhì)損耗，這使得它在需要大容量和高穩(wěn)定性的應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。而X5R材質(zhì)的電容器

  2024-04-29
• 大功率器件氮化鎵芯片系列產(chǎn)品KT65C1R070D、KT65C1R120D

  Keep Tops繼年初推出KT65C1R200D 等氮化鎵功率器件后；最近再次推出KT65C1R070D、KT65C1R120D系列氮化鎵功率芯片，Keep Tops產(chǎn)品將高性能、高可靠性電流控制

  2023-09-21
• 瑞薩e1與r7f0c807對比如何？

  瑞薩e1與r7f0c807對比如何？ 瑞薩作為半導(dǎo)體芯片制造廠商，其在車載電子市場上一直處于領(lǐng)先地位。而其e1與r7f0c807系列產(chǎn)品是其在該市場上的兩個(gè)重要產(chǎn)品系列。那么，這兩個(gè)系列產(chǎn)品在功能

  2023-08-16
• 陶瓷電容器的常用材質(zhì)有哪些？

  陶瓷電容器常用的材質(zhì)分別有Y5P、Y5V、Y5U、X7R、NPO等5種，代表的意思分別是： 1、Y5P的溫度補(bǔ)償性能好，全溫度范圍內(nèi)的電容值變化范圍為10%； 2、Y5U對溫度變化無補(bǔ)償性，全溫度范圍內(nèi)的電容值變化范圍為+22%/-56%； 3、Y5V表示...

  2020-03-16

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