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CSD18536KCS 封裝圖
| 型號 | 制造商 | 描述 | 購買 |
|---|---|---|---|
| CSD18536KCS | TI | CSD18536KCS 采用 TO-220 封裝的單路、1.6mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET | 立即購買 |
...問題嗎?”我問。他確實碰到過,于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技術信息。
WAP技術與業(yè)務 摘 要:介紹WAP的發(fā)展、結構、基于GSM網(wǎng)絡的承載能力以及WAP業(yè)務。關鍵詞:WAP GSM SMS CSD USSD&nbs
SNIA定義了三種計算存儲標準:Computational Storage Drive(CSD,即可計算型SSD,包含持久存儲和計算模塊)、Computational Storage
Texas Instruments CSD96416同步降壓NexFET?功率級是高度優(yōu)化的設計,用于大功率、高密度同步降壓轉換器。該產(chǎn)品集成了驅動器IC和功率MOSFET,可完成功率級開關功能。該
Texas Instruments CSD95411同步降壓NexFET?功率級是高度優(yōu)化的設計,用于大功率、高密度同步降壓轉換器。該器件集成了驅動器IC和功率MOSFET以完成功率級轉換功能。該
Texas Instruments CSD96415同步降壓NexFET?功率級是高度優(yōu)化的設計,用于大功率、高密度同步降壓轉換器。該產(chǎn)品集成了驅動器IC和功率MOSFET,可完成功率級開關功能。該
CSD96370Q5M NexFET 功率級經(jīng)過優(yōu)化設計,適用于高功率、高密度 同步降壓轉換器。該產(chǎn)品集成了增強型柵極驅動器IC和電源模塊技術,以完成功率級開關功能。這種組合可產(chǎn)生高電流、高效率
CSD97370AQ5M NexFET 功率級經(jīng)過優(yōu)化設計,適用于高功率、高密度 同步降壓轉換器。該產(chǎn)品集成了增強型柵極驅動器IC和電源模塊技術,以完成功率級開關功能。這種組合可產(chǎn)生高電流、高效率