FGA50N100BNTD

制造商：ON

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應(yīng)用案例更多案例

• 50nm工藝新時(shí)代開(kāi)啟，中國(guó)首顆50nm 256M NOR Flash量產(chǎn)

  ...公司與珠海博雅科技有限公司共同宣布，博雅科技研發(fā)的50nm 256M ETOX NOR Flash于2020年初在上海華力領(lǐng)先流片成功，現(xiàn)已成功量產(chǎn)。該產(chǎn)品是國(guó)內(nèi)首顆50nm 256M NOR Flash，產(chǎn)品性能參數(shù)指標(biāo)和國(guó)際一線品牌同類(lèi)產(chǎn)品相比，達(dá)到同一水平...

  2020-08-03
• 選型手冊(cè)：MOT9N50D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  仁懋電子（MOT）推出的MOT9N50D是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開(kāi)關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開(kāi)關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等

  2025-11-04
• 選型手冊(cè)：MOT5N50MD 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  仁懋電子（MOT）推出的MOT5N50MD是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開(kāi)關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開(kāi)關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等

  2025-11-03
• 選型手冊(cè)：MOT50N02D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  仁懋電子（MOT）推出的MOT50N02D是一款面向低壓大電流開(kāi)關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借20V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及50A大電流承載能力，廣泛適用于各類(lèi)開(kāi)關(guān)應(yīng)用（如DC-DC轉(zhuǎn)換器

  2025-11-01
• 深度解析場(chǎng)效應(yīng)管ZK60N50T：參數(shù)、特性與應(yīng)用場(chǎng)景

  在電力電子領(lǐng)域，場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）作為核心開(kāi)關(guān)器件，其性能直接決定了整機(jī)系統(tǒng)的效率、可靠性與成本控制。ZK60N50T作為一款典型的N溝道功率MOSFET，憑借其優(yōu)異的電氣參數(shù)與穩(wěn)定的工作特性

  2025-10-27
• 合科泰NMOS管HKTD5N50產(chǎn)品介紹

  合科泰N溝道功率MOS管HKTD5N50采用經(jīng)典N溝道結(jié)構(gòu)，通過(guò)柵極電壓精準(zhǔn)調(diào)控漏源電流，兼具高壓開(kāi)關(guān)與功率轉(zhuǎn)換核心功能。作為電壓驅(qū)動(dòng)型器件，其依托電場(chǎng)效應(yīng)實(shí)現(xiàn)大電流高效控制，在電源管理、工業(yè)驅(qū)動(dòng)、新能源等高壓大電流場(chǎng)景中發(fā)揮關(guān)鍵作用。

  2025-05-20
• prbtek分享品致N1015B高精度差分探頭產(chǎn)品說(shuō)明書(shū)

  N1015B 頻率：100MHz 衰減比例：500:1，50：1 供電模式：電池、適配器供電 電壓過(guò)載保護(hù)，可匹配任何廠牌示波器。 精度高達(dá)1%。 規(guī)格參數(shù)： 型號(hào)：N1015B 頻寬

  2022-12-20
• 100W電源以上的半橋式電路使用什么MOS管型才能適配電路呢

  其實(shí)對(duì)于100W以上舞臺(tái)燈光電源的半橋式電路，我們推薦使用2個(gè)FHP13N50W。畢竟FHP13N50W是可以替代13N50等MOS管的產(chǎn)品型號(hào)參數(shù)。

  2022-11-26

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