FGH25T120SMD

制造商：ON

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• JNG40T120HITO-247內(nèi)絕緣產(chǎn)品的特征

  喜訊|佳恩 JNG40T120HI TO-247內(nèi)絕緣產(chǎn)品成功上市！

  2022-03-11
• 深度解析DS25BR120：高速LVDS緩沖器的卓越之選

  深度解析DS25BR120：高速LVDS緩沖器的卓越之選 在高速信號傳輸?shù)碾娮邮澜缋?，一款性能出色的緩沖器至關(guān)重要。今天，我們就來深入了解一下德州儀器（Texas Instruments

  2025-12-26
• RM6602T 簡易PD快充協(xié)議IC共用18W20W25W

  RM6602T 簡易PD快充協(xié)議IC共用18W20W25W一顆料。

  2022-03-23
• 對于H6橋拓?fù)涞膯蜗嗄孀兤魇沁x擇IGBT還是MOSFET功率開關(guān)管呢？

  對于這個問題其實(shí)市場上在應(yīng)用中已經(jīng)有比較好的答案，目前在H6橋拓?fù)涞膯蜗喙夥孀兤髦薪?jīng)常會用到FGH60N60SMD的IGBT單管。

  2023-04-11
• 探索onsemi FGH4L75T65MQDC50 IGBT：高效能與可靠性的完美結(jié)合

  在當(dāng)今的電子設(shè)備設(shè)計領(lǐng)域，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件，對于提升設(shè)備性能和效率起著至關(guān)重要的作用。今天，我們就來深入探討一下onsemi推出的FGH4L75T65MQDC50 IGBT，看看它究竟有哪些獨(dú)特之處，能為我們的設(shè)計帶來怎樣的優(yōu)勢。

  2025-12-04
• 探索 NXH80T120L2Q0S2G/S2TG, NXH80T120L2Q0P2G 功率模

  在電子工程領(lǐng)域，功率模塊的性能直接影響著整個系統(tǒng)的效率和可靠性。今天，我們就來深入了解一下 onsemi 推出的 NXH80T120L2Q0S2G/S2TG, NXH80T120L2Q0P2G 功率模塊，看看它有哪些獨(dú)特之處。

  2025-12-04
• 探索 onsemi FGH4L50T65MQDC50 IGBT 的卓越性能

  在電子工程師的日常設(shè)計工作中，選擇合適的功率器件至關(guān)重要。今天，我們就來深入探討 onsemi 推出的 FGH4L50T65MQDC50 IGBT，看看它有哪些獨(dú)特之處能為我們的設(shè)計帶來便利。

  2025-12-04
• 深入解析 ON Semiconductor FGH4L50T65SQD IGBT

  在電力電子設(shè)備的設(shè)計中，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）扮演著至關(guān)重要的角色。今天，我們就來詳細(xì)探討 ON Semiconductor 的 FGH4L50T65SQD 這款 650V、50A 的場截止型 IGBT，看看它能為我們的設(shè)計帶來哪些優(yōu)勢。

  2025-12-03

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