FGH50N3

制造商：ON

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• 50nm工藝新時(shí)代開(kāi)啟，中國(guó)首顆50nm 256M NOR Flash量產(chǎn)

  ...公司與珠海博雅科技有限公司共同宣布，博雅科技研發(fā)的50nm 256M ETOX NOR Flash于2020年初在上海華力領(lǐng)先流片成功，現(xiàn)已成功量產(chǎn)。該產(chǎn)品是國(guó)內(nèi)首顆50nm 256M NOR Flash，產(chǎn)品性能參數(shù)指標(biāo)和國(guó)際一線品牌同類產(chǎn)品相比，達(dá)到同一水平...

  2020-08-03
• 陸芯科技推出IGBT單管YGW50N120TMA1

  陸芯科技正式推出1200V50A GEN3 IGBT單管，產(chǎn)品型號(hào)為YGW50N120TMA1。產(chǎn)品采用LUXIN FS-Trench GEN3平臺(tái)，PitchSize 1.6um，TO247封裝。

  2025-08-21
• 武漢新芯推出業(yè)界先進(jìn)50nm SPI NOR Flash存儲(chǔ)系列

  紫光集團(tuán)旗下武漢新芯集成電路制造有限公司，宣布推出業(yè)界先進(jìn)的50nm Floating Gate工藝SPI NOR Flash寬電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC。

  2019-12-21
• 選型手冊(cè)：MOT9N50F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  仁懋電子（MOT）推出的MOT9N50F是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開(kāi)關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開(kāi)關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等

  2025-11-07
• 選型手冊(cè)：MOT5N50BD N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  仁懋電子（MOT）推出的MOT5N50BD是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開(kāi)關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開(kāi)關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等

  2025-11-07
• 選型手冊(cè)：MOT15N50F 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  仁懋電子（MOT）推出的MOT15N50F是一款面向500V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開(kāi)關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高效開(kāi)關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED電源

  2025-11-05
• 選型手冊(cè)：MOT50N03C N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  仁懋電子（MOT）推出的MOT50N03C是一款面向30V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷及快速開(kāi)關(guān)特性，適用于各類開(kāi)關(guān)應(yīng)用場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N

  2025-11-21
• 選型手冊(cè)：MOT9N50D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  仁懋電子（MOT）推出的MOT9N50D是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開(kāi)關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開(kāi)關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等

  2025-11-04

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