購(gòu)物車0制造商:ON
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在近日舉行的FMS 2024峰會(huì)上,SK海力士震撼發(fā)布了其存儲(chǔ)技術(shù)的最新成果,其中最為引人注目的便是尚未正式公布標(biāo)準(zhǔn)的UFS 4.1通用閃存技術(shù)預(yù)覽。這一前瞻性的展示,不僅彰顯了海力士在存儲(chǔ)領(lǐng)域的深厚底蘊(yùn),也預(yù)示著智能手機(jī)及移動(dòng)設(shè)備性能即將迎來新一輪的飛躍。
SK海力士即將在8月6日至8日于美國(guó)圣克拉拉舉辦的全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器峰會(huì)FMS 2024上大放異彩,向全球業(yè)界展示其在存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域的最新進(jìn)展與對(duì)人工智能(AI)未來的深邃洞察。此次參展,SK海力士不僅將全面呈現(xiàn)其存儲(chǔ)器產(chǎn)品的技術(shù)革新,更將焦點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)了下一代AI存儲(chǔ)器技術(shù)的璀璨前景。
...格貴還需要涉及其他被動(dòng)器件的更改,STM32系列可以通過FMSC接口外擴(kuò)并口SRAM,比如采用ISSI的IS62WV51216, IS62WV51216 SRAM芯片是一個(gè)8M容量,組織結(jié)構(gòu)為512K*16的高速率低功耗靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。IS62WV51216高性能CMOS工藝制造。高度可靠的...
臺(tái)北和美國(guó)加州訊,2023年 8月9日—全球NAND閃存主控芯片領(lǐng)導(dǎo)廠商慧榮科技 (NasdaqGS: SIMO) 今日宣布于8月8日至10日在美國(guó)加州圣塔克拉拉舉行的FMS 2023 (Flash
EMI輻射近場(chǎng)測(cè)試是一種相對(duì)量測(cè)試,它可以把被測(cè)件的測(cè)試結(jié)果與基準(zhǔn)件的測(cè)試結(jié)果進(jìn)行比較,以預(yù)測(cè)被測(cè)件通過一致性測(cè)試的可能性,并且通過探頭的檢測(cè)能快速精準(zhǔn)的告訴工程師。
Semtech推出FMS LoRa?組網(wǎng)解決方案
8月8日-10日, 全球閃存峰會(huì)FMS2023 將在美國(guó)加州圣克拉拉會(huì)議中心隆重舉行。作為國(guó)際閃存行業(yè)的盛會(huì),FMS2023將展示閃存最新進(jìn)展,聚焦DRAM、DNA數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、UCIe、CXL
用FMS7401型功率控制器設(shè)計(jì)的數(shù)字調(diào)光熒光燈鎮(zhèn)流器 為了控制預(yù)熱時(shí)間、最低與最高驅(qū)動(dòng)頻率及正常工作頻率等各種參數(shù),模擬電子鎮(zhèn)流器的控制器外
| FSD146MRBN | FERD20U60 | FODM8071 | FSV20120V |
| FAN41501 | FAN3229T_F085 | FPF2702 | FSFR1800HS |
| FSL3276ALR | FSL106HR | FAN6961 | FPF1C2P5BF07A |
| FAN73912 | FJV3103R | FDMF6823B | FDC608PZ |
| FSB50550B | FPF2202 | FAN3213T | FPF1005 |