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優(yōu)勢和特點
增益: 22 dB
P1dB: +23 dBm
輸出IP3: +31 dBm
飽和功率: 24 dBm (23% PAE)
電源電壓: +5 V (180 mA)
50 Ω匹配輸入/輸出
裸片尺寸: 2.07 x 0.97 x 0.10 mm
產(chǎn)品詳情
HMC634是一款GaAs MMIC PHEMT驅(qū)動放大器裸片,工作頻率范圍為5至20 GHz。 該放大器提供高達22 dB的增益,+31 dBm輸出IP3及高達+23 dBm的輸出功率(1 dB增益壓縮時),功耗為180 mA(+5V電源)。 HMC634驅(qū)動放大器非常適合工作頻率范圍為5至20 GHz的微波無線電應用,電壓可偏置為+5V (130 mA),以提供2 dB較低增益并改善PAE。 隔直HMC634放大器I/O內(nèi)部匹配50 Ω,方便輕松集成到多芯片模塊(MCM)中。 所有數(shù)據(jù)均利用芯片獲取,其通過長度至少為0.31 mm (12 mils)的一條1 mil線焊連接輸入和輸出RF端口。 Applications
點對點無線電
點對多點無線電和VSAT
混頻器用LO驅(qū)動器
軍事和太空
MOSAID Technologies今天宣布,他們已經(jīng)試產(chǎn)了全球第一顆采用驚人十六die封裝的 NAND閃存芯片,讓他們和諧地運行在了一個高性能通道內(nèi)。
SK海力士近日悄然在其產(chǎn)品目錄中增加了16Gb(2GB)容量的單Die DDR4內(nèi)存顆粒,不僅可以使用更少的芯片打造大容量內(nèi)存條,還為單條256GB內(nèi)存條鋪平了道路。
Multi-Die系統(tǒng)的基礎構建,亦是如此,全部都需要細致入微的架構規(guī)劃。 對于復雜的Multi-Die系統(tǒng)而言,從最初就將架構設計得盡可能正確尤為關鍵。 Multi-Die系統(tǒng)的出現(xiàn),是為了應對設計規(guī)模增加和系統(tǒng)復雜性給摩爾定律有效性帶來的挑戰(zhàn)。Mult
第一款即將于今年秋天推出的VR體驗是基于《無敵破壞王2:大鬧互聯(lián)網(wǎng)》改編而成,被命名為“Ralph Breaks VR”。而第二款體驗則是根據(jù)一部即將在2019年上映的尚未公開的漫威電影改編,目前還未公布確切信息。漫威將于2019年推...
三月份首次公開展示之后,三星電子今天宣布,已經(jīng)全球第一個開始量產(chǎn)基于16Gb(2GB) Die顆粒的新一代64GB DDR4 RDIMM內(nèi)存條,主要面向企業(yè)和云服務應用。
SFH6315T SFH6316T SFH6343T開關測試電路及波形電路圖
在Intel第三代3D閃存固態(tài)盤我們可以知道的是,用上了 Host Memory Buffer (HMB)技術,Intel的單Die升級到了512Gb,不需要整合DRAM做緩沖池。具體的信息將會CES 2018上才知曉。
SFH6345抗共模瞬變干擾及波形電路圖
| HMC245A | HMC466 | HMC826 | HMC264LM3 |
| HMC437 | HMC582 | HMC7911 | HMC704 |
| HV857L | HMC849A | HMC739 | HMC767 |
| HMC273A | HMC1165 | HMC675LP3E | HV9308 |
| HMC586 | HMC265-Die | HMC624A | HMC836 |