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優(yōu)勢和特點(diǎn)
低RMS相位誤差: 3度
低插入損耗: 6.5 dB至8 dB
高線性度: 44 dBm
正控制邏輯
360度覆蓋,LSB = 5.625度
裸片尺寸: 4.5 mm x 1.9 mm x 0.1 mm
28引腳QFN無引腳SMT封裝: 36 mm2
產(chǎn)品詳情
components.HMC649A是一款6位數(shù)字移相器芯片,額定頻率范圍為3 GHz至6 GHz,提供360度相位覆蓋,LSB為5.625度。 HMC649A在所有相態(tài)具有3度的低RMS相位誤差及±0.5 dB的極低插入損耗變化。 此款高精度移相器通過0/5 V的正控制邏輯控制。HMC649A采用緊湊型6 mm x 6 mm無引腳SMT塑料封裝,內(nèi)部匹配50 Ω,無需任何外部元件。
應(yīng)用
EW接收器
氣象和軍用雷達(dá)
衛(wèi)星通信
波束成形模塊
相位抵消

HMC649A電路圖
| 型號 | 制造商 | 描述 | 購買 |
|---|---|---|---|
| HMC649ALP6E | - | - | 立即購買 |
| HMC649ALP6ETR | - | - | 立即購買 |
HMC649ALP6E是一款6位數(shù)字移相器,工作頻率范圍為3至6GHz ,可實(shí)現(xiàn)360度的相移覆蓋,線性度為6.265度。HMC649ALP6E具有極低的均方根相位誤差,為4度 ,且在所有相位狀態(tài)下
HMC642A是一款6位數(shù)字移相器芯片,額定頻率范圍為9 GHz至12.5 GHz,提供360度相位覆蓋,LSB為5.625度。 HMC642A在所有相態(tài)具有2.5度至3.5度的極低RMS相位誤差
HMC930A是一款砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)分布式功率放大器,工作頻率范圍為DC至40 GHz。 HMC930A提供13 dB增益、33.5
HMC595A和HMC595AE均為低成本SPDT開關(guān),采用6引腳SOT26封裝,適用于在高入射功率電平下具有極低失真特性的發(fā)射/接收應(yīng)用。 該器件可控制DC至3 GHz信號,尤其適合蜂窩/3G
Analog Devices, Inc. 亞德諾(ADI),最近推出高度集成的Rx/Tx 轉(zhuǎn)換器HMC8100 和HMC8200。對于微波和毫米波移動(dòng)運(yùn)營商及電信設(shè)備制造商而言,這些器件可以大幅提高可靠性、降低成本并縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。
HMC427ALP3E是一款低損耗寬帶正控制轉(zhuǎn)換開關(guān),采用無引腳表貼封裝。 該開關(guān)頻率范圍為DC至8 GHz,具有高隔離和低插入損耗。 該開關(guān)采用0/+5V正控制電壓工作,所需固定偏置為+5V (< 20 μA)。
HMC986A是一款反射式、單刀雙擲(SPDT)開關(guān),采用砷化鎵(GaAs)工藝制造。該開關(guān)在0.1 GHz至50 GHz寬帶頻率范圍內(nèi)通常提供2.3 dB的低插入損耗和30 dB的高隔離度
HMC232A是一款非反射式、SPDT、RF開關(guān),采用砷化鎵(GaAs)工藝制造。 HMC232A的工作頻率范圍為100 MHz至12 GHz,在6 GHz時(shí)提供優(yōu)于1.5 dB的插入損耗
| HMC566LP4E | HMC745 | HMC921 | HMC263-Die |
| HMC-MDB172 | HMC424A-DIE | HMC373 | HMC754 |
| HMC985 | HMC930A-DIE | HMC-T2220B | HMC345A |
| HMC939A-Die | HMC633-Die | HMC372 | HMC830 |
| HMC-C051 | HMC611LP4 | HMC129ALC4 | HMC346AMS8GE |