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優(yōu)勢和特點(diǎn)
寬帶寬: DC - 50 GHz
9款衰減器產(chǎn)品: 固定電平:0、2、3、4、6、10、15和20 dB
功率處理: +25 dBm
HMC651和HMC658裸片尺寸:0.57 x 0.45 x 0.1 mm
HMC650, HMC652, HMC653, HMC654,?HMC655, HMC656和 HMC657裸片尺寸: 0.42 x 0.45 x 0.1 mm
產(chǎn)品詳情
HMC650/651/652/653/654/655/656/657/658是一系列寬帶固定值50 Ω匹配衰減器芯片,提供0、2、3、4、6、10、15和20 dB相對衰減電平。 這些無源旋轉(zhuǎn)器和衰減器非常適合需要極端平坦衰減和出色的VSWR與頻率關(guān)系的微帶、混合及多芯片模塊應(yīng)用。
寬帶衰減器采用低電感片內(nèi)過孔,無需額外的接地連接。 HMC650至HMC658背面鍍金,適合共晶或環(huán)氧樹脂芯片貼裝。 所有9款產(chǎn)品均可通過相應(yīng)的產(chǎn)品型號單獨(dú)購買,或購買HMC-DK006固定衰減器芯片設(shè)計(jì)套件(含10件)。
應(yīng)用
光纖產(chǎn)品
微波無線電
軍事和太空混合器件
測試與測量
科研儀器
RF/微波電路原型制作

HMC657-DIE電路圖
| 型號 | 制造商 | 描述 | 購買 |
|---|---|---|---|
| HMC657 | - | - | 立即購買 |
| HMC657-SX | - | - | 立即購買 |
SK海力士近日悄然在其產(chǎn)品目錄中增加了16Gb(2GB)容量的單Die DDR4內(nèi)存顆粒,不僅可以使用更少的芯片打造大容量內(nèi)存條,還為單條256GB內(nèi)存條鋪平了道路。
三星B-Die DDR4內(nèi)存顆??胺Q一段行業(yè)傳奇,無論廠商還是高端玩家、發(fā)燒友都非常喜歡它,其出色的性能和超頻性備受青睞,幾乎成了高端內(nèi)存條的標(biāo)配。
MOSAID Technologies今天宣布,他們已經(jīng)試產(chǎn)了全球第一顆采用驚人十六die封裝的 NAND閃存芯片,讓他們和諧地運(yùn)行在了一個高性能通道內(nèi)。
簡介 半導(dǎo)體行業(yè)面臨的一個主要挑戰(zhàn)是無法在量產(chǎn)階段早期發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品缺陷。如果將有缺陷的產(chǎn)品投放市場,將會給企業(yè)帶來巨大的經(jīng)濟(jì)和聲譽(yù)損失。對超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、網(wǎng)絡(luò)和 AI 應(yīng)用的高性能計(jì)算片上系統(tǒng) (SoC) 的設(shè)計(jì)開發(fā)者...
是什么推動了Multi-Die系統(tǒng)的發(fā)展?由于AI、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、自動駕駛汽車等應(yīng)用的高速發(fā)展,單片片上系統(tǒng)(SoC)已經(jīng)不足以滿足人們對芯片的需求了。Multi-Die系統(tǒng)是在單個封裝中集
作為半導(dǎo)體制造的后工序,封裝工藝包含背面研磨(Back Grinding)、劃片(Dicing)、芯片鍵合(Die Bonding)、引線鍵合(Wire Bonding)及成型(Molding)等步驟。
可能你偶爾會聽見硬件工程師,或者芯片設(shè)計(jì)工程師講述一些專業(yè)名詞,比如今天說的wafer、die、cell等。
| HMC-APH460 | HMC712A | HMC5445 | HMC587 |
| HMC450 | HMC573 | HMC653-Die | HMC349ALP4CE |
| HV833 | HMC-VVD104 | HMC322ALP4E | HMC1144 |
| HMC1035 | HMC481ST89 | HDC1080 | HMC365S8G |
| HV2901 | HV857L | HMC461 | HV583 |