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優(yōu)勢和特點
噪聲系數(shù): 1.4 dB
輸出IP3: +29 dBm
增益: 17 dB
故障安全操作: LNA“無電”時,旁路使能
單電源: +3V或+5V
16引腳3x3mm SMT封裝: 9mm2
產(chǎn)品詳情
HMC669LP3(E)是一款多功能、高動態(tài)范圍GaAs MMIC低噪聲放大器,在IC上集成低損耗LNA旁路模式。 該放大器非常適合接收機和LNA模塊,工作頻率范圍為1.7至2.2 GHz,采用+5V單電源時(86mA)提供1.4 dB的噪聲系數(shù)、17 dB的增益和+29 dBm的輸出IP3。 輸入和輸出回損性能出色,無需外部匹配元件。 單一控制線路用于切換LNA模式和低損耗旁路模式。 無直流電源可用時,此故障安全拓撲結(jié)構(gòu)還可使能LNA旁路路徑。
應(yīng)用
蜂窩/3G和LTE/WiMAX/4G
BTS和基礎(chǔ)設(shè)施
中繼器和毫微微蜂窩
塔頂放大器
測試和測量設(shè)備
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HMC669電路圖

HMC669電路圖
| 型號 | 制造商 | 描述 | 購買 |
|---|---|---|---|
| HMC669LP3TR | API | 680 nH 無屏蔽 電感器 475 mA 210 毫歐最大 2-SMD | 立即購買 |
| HMC669LP3ETR | FH | 排阻/電阻網(wǎng)絡(luò) RA_0603X4 680Ω ±5% ±100ppm/℃ | 立即購買 |
| HMC669LP3 | KOA | 貼片電阻 0603 825Ω ±0.5% 1/10W ±10ppm/℃ | 立即購買 |
| HMC669LP3E | Infineon | 立即購買 |
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