LF398-N-MIL

制造商：TI

產(chǎn)品信息

電路圖、引腳圖和封裝圖

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  LF398-N-MIL 封裝圖

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技術(shù)資料

應(yīng)用案例更多案例

• TE新型SPEC 55低氟化物（SPEC 55 LF）電線電纜絕緣系統(tǒng)可提供5倍堅(jiān)固性

  ...出氣體導(dǎo)致其他組件腐蝕的可能性。 除了逸氣值遠(yuǎn)低于MIL-SPEC SAE-AS22759規(guī)定的20PPM之外，SPEC 55 LF絕緣系統(tǒng)的刮擦磨損性能也達(dá)到了該標(biāo)準(zhǔn)要求的五倍。堅(jiān)固的結(jié)構(gòu)和豐富的多功能性兩相結(jié)合。SPEC 55 LF系統(tǒng)提

  2020-08-11
• ?STL320N4LF8 N溝道功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

  意法半導(dǎo)體 STL320N4LF8 N溝道STripFET F8功率MOSFET 采用STripFET F8溝槽式MOSFET技術(shù)制造而成。 該器件完全符合工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。STL320N4LF8可降低

  2025-10-29
• STL325N4LF8AG N通道功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

  意法半導(dǎo)體STL325N4LF8AG N溝道功率MOSFET采用STripFET F8技術(shù)，具有增強(qiáng)型溝槽柵極結(jié)構(gòu)。 STL325N4LF8AG可確保非常低的導(dǎo)通電阻。該器件還降低內(nèi)部電容和柵極電荷，實(shí)現(xiàn)更快、更高效的開(kāi)關(guān)。

  2025-10-29
• NAND閃存營(yíng)收達(dá)398.01億元，創(chuàng)下歷史新高

  由于成本上的優(yōu)勢(shì)，目前市場(chǎng)上的NAND閃存主流已經(jīng)變成了TLC、QLC，MLC都很罕見(jiàn)了，SLC閃存更是鳳毛麟角，消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)上幾乎消失了。

  2021-01-08
• 使用VeriStand搭建MIL測(cè)試環(huán)境

  MIL（Model In The Loop）模型在環(huán)仿真測(cè)試用于在實(shí)際系統(tǒng)搭建完成之前進(jìn)行模型測(cè)試，使用VeriStand搭建MIL測(cè)試環(huán)境，可以在不需要硬件資源的情況下測(cè)試控制模型。

  2024-01-05
• 兩個(gè)采樣保持放大器LF398構(gòu)成的階梯波發(fā)生電路圖

  兩個(gè)采樣保持放大器LF398構(gòu)成的階梯波發(fā)生電路圖 如圖所示為由兩個(gè)LF398構(gòu)成的階梯波發(fā)生電路。初始狀態(tài)：兩個(gè)

  2009-03-15
• lf398峰值采樣保持電路

  摘要 ：本文介紹了一種以采樣/ 保持器 L F398 芯片為主要器件的峰值保持電路。該電路具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、調(diào)試方便、性能優(yōu)良等優(yōu)點(diǎn) ，可廣泛應(yīng)用于各種脈沖分析系統(tǒng)。

  2017-11-04
• lf198/lf298/lf398應(yīng)用電路

  lf198/lf298/lf398應(yīng)用電路

  2009-03-15

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