LF411-N

制造商：TI

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應(yīng)用案例更多案例

• 無功負(fù)載和網(wǎng)絡(luò)如何影響模擬電路中的相移

  如果運算放大器具有阻性輸出阻抗，對于此運算放大器（LF411），單位增益約為 0.1 - 10 Ω，我們預(yù)計該電容器會導(dǎo)致高于截止頻率的 -90° 相移。讓我們看看發(fā)生了什么。

  2023-04-30
• 鎳基正極材料（NCM/NCA）正不斷取代LMO/LFP的市場

  黃學(xué)杰團(tuán)隊的數(shù)據(jù)顯示，而通過材料改性，該材料可以在25℃下，100周循環(huán)容量保持率達(dá)99.24%，35℃下100周容量保持率達(dá)98.65%，優(yōu)于三元材料，可以解決其壽命問題。

  2020-10-14
• pearson皮爾遜411電流互感器的產(chǎn)品特點及其應(yīng)用

  Pearson電流互感器411是一款廣泛應(yīng)用于電力系統(tǒng)檢測領(lǐng)域的優(yōu)質(zhì)設(shè)備。它以其卓越的性能和可靠性，在電力行業(yè)中享有盛譽。本文將詳細(xì)介紹Pearson電流互感器411的特點、工作原理以及應(yīng)用范圍，帶

  2024-01-18
• ?STL320N4LF8 N溝道功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

  意法半導(dǎo)體 STL320N4LF8 N溝道STripFET F8功率MOSFET 采用STripFET F8溝槽式MOSFET技術(shù)制造而成。 該器件完全符合工業(yè)級標(biāo)準(zhǔn)。STL320N4LF8可降低

  2025-10-29
• STL325N4LF8AG N通道功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

  意法半導(dǎo)體STL325N4LF8AG N溝道功率MOSFET采用STripFET F8技術(shù)，具有增強型溝槽柵極結(jié)構(gòu)。 STL325N4LF8AG可確保非常低的導(dǎo)通電阻。該器件還降低內(nèi)部電容和柵極電荷，實現(xiàn)更快、更高效的開關(guān)。

  2025-10-29
• Nexperia發(fā)布P溝道MOSFET，采用節(jié)省空間的堅固LFPAK56封裝

  LFPAK封裝采用銅夾片結(jié)構(gòu)，由Nexperia率先應(yīng)用，已在汽車等要求嚴(yán)格的應(yīng)用領(lǐng)域中使用近20年。

  2020-05-08
• NMC電池在未來10年仍將保持主流地位，LFP陰極組成緊隨其后

  Wood Mackenzie的分析師研究了未來10年的規(guī)劃，得出的結(jié)論是，到2030年，將有約119個制造廠建成并投入使用。中國目前穩(wěn)穩(wěn)坐在駕駛席上，亞太地區(qū)占全球制造產(chǎn)能的80％，但歐洲正在迎頭趕上。

  2020-08-15
• 基于DSP和nRF24L01的無線環(huán)境監(jiān)測系統(tǒng)設(shè)計

  本文介紹的無線環(huán)境監(jiān)測系統(tǒng)的控制采用TMS320LF2407實現(xiàn)。TMS320LF2407內(nèi)部資源豐富，既有A／D轉(zhuǎn)換器，又有SPI、SCI，省去了系統(tǒng)擴展的麻煩；另外，I／O口比較多，內(nèi)部存儲空間較大，有利于系統(tǒng)功能擴充。

  2017-12-15

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