描述 LMG5200 器件是一款 80V、10A 驅(qū)動(dòng)器兼 GaN 半橋功率級(jí)，借助增強(qiáng)模式氮化鎵 (GaN) FET 提供了一套集成功率級(jí)解決方案。該器件包含兩個(gè) 80V GaN FET，它們采用半橋配置并由一個(gè)高頻 GaN FET 驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)。GaN FET 在功率轉(zhuǎn)換方面的優(yōu)勢(shì)顯著，因?yàn)槠浞聪蚧謴?fù)電荷幾乎為零，輸入電容 CISS 也非常小。所有器件均安裝在一個(gè)完全無(wú)鍵合線的封裝平臺(tái)上，盡可能減少了封裝寄生元件數(shù)。LMG5200 器件采用 6mm x 8mm x 2mm 無(wú)引線封裝，可輕松安裝在 PCB 上。該器件的輸入與 TTL 邏輯兼容，并且無(wú)論 VCC 電壓如何，最高都能夠承受 12V 的輸入電壓。專有的自舉電壓鉗位技術(shù)確保了增強(qiáng)模式 GaN FET 的柵極電壓處于安全的工作范圍內(nèi)。 該器件配有用戶友好型接口且更為出色，進(jìn)一步提升了分立式 GaN FET 的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于具有高頻、高效操作及小尺寸要求的 應(yīng)用 而言，該器件堪稱理想的解決方案。與 TPS53632G 控制器搭配使用時(shí)，LMG5200 能夠直接將 48V 電壓轉(zhuǎn)換為負(fù)載點(diǎn)電壓 (0.5-1.5V)。特性集成 15mΩ GaN FET 和驅(qū)動(dòng)器 80V 連續(xù)電壓，100V 脈沖電壓，電壓額定值 封裝經(jīng)過(guò)優(yōu)化方便 PCB 布線，無(wú)需考底部填充、爬電距離和電氣間隙要求 超低的公共源電感，確保了高轉(zhuǎn)換率，在硬開關(guān)拓?fù)渲胁粫?huì)造成過(guò)多的振鈴 非常適合頻率高達(dá) 10MHz 的隔離和非隔離 應(yīng)用 內(nèi)部自舉電源電壓鉗位可防止 GaN FET 過(guò)驅(qū) 電源軌欠壓閉鎖保護(hù) 優(yōu)異的傳播延遲（典型值為 29.5ns）和匹配（典型值為 2ns） 低功耗 應(yīng)用 寬 VIN 數(shù)兆赫茲同步降壓轉(zhuǎn)換器 D 類音頻放大器 適用于電信、工業(yè)和企業(yè)計(jì)算的 48V 負(fù)載點(diǎn) (POL) 轉(zhuǎn)換器高功率密度單相和三相電機(jī)驅(qū)動(dòng) All trademarks are the property of their respective owners.