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MC100LVE111電路圖
| 型號(hào) | 制造商 | 描述 | 購買 |
|---|---|---|---|
| MC100LVE111FNR2G | ON | IC CLK BUFFER 1:9 1.5GHZ 28PLCC | 立即購買 |
| MC100LVE111FNG | ON | MC100LVE111 是一款低歪曲率 1:9 雙路差分驅(qū)動(dòng)器,在設(shè)計(jì)時(shí)考慮到時(shí)鐘分發(fā)。MC100LVE111 的功能和性能與受歡迎的 MC100E111 類似,增加了低壓運(yùn)行特性。它接受一個(gè)信號(hào)輸入,如果使用 VBB 輸出,可以為差分或單端。信號(hào)被扇出為 9 個(gè)相同的差分輸出。LVE111 以低歪曲率為主要目標(biāo)進(jìn)行專門設(shè)計(jì)、建模和生產(chǎn)。優(yōu)化的設(shè)計(jì)和布局有助于最大程度減小器件內(nèi)的門極-門極歪曲率,使用經(jīng)驗(yàn)建模來確定過程控制限值,確保批次之間一致的 tpd 分發(fā)。因此產(chǎn)生了可靠的保證低歪曲率器件。為了確保符合嚴(yán)格的歪曲率規(guī)格要求,差分輸出的兩側(cè)均同樣端接到 50W,即使只使用一側(cè)也是如此。在大多數(shù)應(yīng)用中,將使用所有九個(gè)差分對(duì),因此進(jìn)行端接。如果無需使用九對(duì),則需要在與要使用對(duì)相同的封裝側(cè)至少端接輸出對(duì),這樣才能保持最小歪曲率。如果不這樣將導(dǎo)致所使用輸出傳播延遲的小型降級(jí)(以 10-20 ps 為階度),雖然這種情況對(duì)于大多數(shù)設(shè)計(jì)來說不是大問題,但也意味著歪曲率裕度的丟失。MC100LVE111 與大多數(shù)其他 ECL 器件相同,可以 PECL 模式,基于正向 VCC 電源運(yùn)行。因此,在 +3.3 V 系統(tǒng)中使用 LVE111 可實(shí)現(xiàn)高性能的時(shí)鐘分發(fā)。設(shè)計(jì)人員可以利用 LVE111 的性能在背面電極或板上分發(fā)低歪曲率時(shí)鐘。在 PECL 環(huán)境串聯(lián)或戴維南線路中,通常使用端接,因?yàn)樗鼈儫o需額外的電源。對(duì)于結(jié)合了 GTL 的系統(tǒng),并行端接提供了最低功耗 | 立即購買 |
新品采用iMOTIONIPMIMI111T-026H高效風(fēng)機(jī)控制參考板iMOTIONIPM---一個(gè)緊湊的DSO封裝中實(shí)現(xiàn)完整的三相逆變器,包括電機(jī)控制器、三相柵極驅(qū)動(dòng)器和基于IGBT的功率級(jí),用于
在軟件測(cè)試領(lǐng)域,MC/DC或許已經(jīng)是一個(gè)耳熟能詳?shù)脑~匯了,但是我們還是要不斷強(qiáng)調(diào)如何正確使用MC/DC以及它與安全相關(guān)的重要作用。北匯信息和Piketec希望幫助客戶使用TPT輕松快速地滿足所需的指標(biāo)。
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Vishay Semiconductors LVE1560E/LVE2560E橋式整流器具有低正向電壓降、低噪聲和高浪涌電流耐受能力的特性。Vishay LVE1560E/LVE2560E整流器
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REF-MHA50WIMI111T:iMOTION? 風(fēng)扇驅(qū)動(dòng)參考設(shè)計(jì)套件深度解析 在電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)領(lǐng)域,尋找一款合適的參考設(shè)計(jì)至關(guān)重要。今天,我們就來詳細(xì)聊聊 Infineon 的 REF
高速通信利器:DS100BR111 低功耗10.3Gbps單通道中繼器深度解析 在高速通信領(lǐng)域,信號(hào)傳輸?shù)馁|(zhì)量和穩(wěn)定性是至關(guān)重要的。TI的DS100BR111作為一款高性能的單通道中繼器,為10G
| MC74VHC139 | MCP1316 | MCP1401 | MCP14628 |
| MSC1214Y4 | MIC4129 | MCP9701A | MC74HC139A |
| MMBF5461 | MIC6270 | MC100EP32 | MIC1810 |
| MIC2182 | MC74HCT259A | MC74ACT373 | MC10H105 |
| MCP2561FD | MIC4832 | MOC3043M | MJE15033 |