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| 型號 | 制造商 | 描述 | 購買 |
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| N25S830HAT22I | ON | 這是一款256 Kb的串行SRAM,內部組織為32 K x 8-Bit。采用先進的CMOS技術制造,具有高速性能和低功耗。支持單個片選(CS)輸入,使用簡單的SPI串行總線。包括HOLD引腳,用于暫停通信。工作溫度范圍為-40°C至+85°C,適用于多種標準封裝。 | 立即購買 |
| N25S830HAS22I | ON | 安森美半導體串行 SRAM 系列包括多款集成存儲器件,其中就包括這款 256 Kb 串行訪問的靜態(tài)隨機訪問存儲器,內部組織為 8 K 個詞,每個詞 32 位。此類器件采用安森美半導體先進的 CMOS 工藝制造,速度快、功耗低。此類器件通過一個單芯片選擇 (CS) 輸入運行,并使用一個簡單的串行外圍接口 (SPI) 串行總線。單個數據輸入和數據輸出行與時鐘一起用于訪問器件中的數據。N25S830HA 器件包括暫停引腳,可實現與要暫停器件的通信。暫停后,輸入轉換將忽略。此類器件可在 ?40°C 至 +85°C 的寬廣溫度范圍內運行,采用若干標準封裝。 | 立即購買 |
| 標題 | 類型 | 大小(KB) | 下載 |
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| 256 kb Low Power Serial SRAMs | 92 | 點擊下載 | |
| SOIC-8 | 36 | 點擊下載 | |
| Medical Solutions Brochure | 4096 | 點擊下載 | |
| TSSOP 8 LEAD 3.0x4.4x1.1 mm | 68 | 點擊下載 |
晶心科技為提供32及64位高效能、低功耗、精簡RISC-V CPU處理器核心的領導供貨商,今日宣布其Corvette-F1 N25平臺領先成為取得Amazon FreeRTOS資格的RISC-V平臺之一。
在現代電力電子行業(yè)中,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為一種高效的功率開關器件,廣泛應用于各類電力轉換設備。TRINNO(特瑞諾)旗下的TGAN25N120NDNPTTrenchIGBT以其卓越
The M4N25 device consists of a gallium arsenide infrared emitting diodeoptically coupled to a silicon NPN phototransistor detector.•
4N25 4N28波形電路圖
4N25 4N28電路圖(A)
4N25 4N28電路圖(B)
DN25的管腳配置和內部結構框圖
DN25的典型應用電路 DN25的典型應用電路如圖所示。輸入電壓V1為25V穩(wěn)定度為0.12
| NUF4403MN | NC7ST04 | NB100LVEP222 | NCV2903 |
| NCL30160 | NCP1053 | NCP81381 | NCP781 |
| NSVF3007SG3 | NB3H63143G | NCP5369N | NCN5120 |
| NC7NP34 | NCS2211 | NTMFS6H801N | NSVF4020SG4 |
| NBA3N200S | NJL1302D | NUD3112 | NCP1239 |