NB3N502

制造商：ON

產(chǎn)品信息

在線購(gòu)買

技術(shù)資料

應(yīng)用案例更多案例

• 3N10、5N10系列機(jī)芯的調(diào)試說(shuō)明

  一、操作說(shuō)明    在功能設(shè)置狀態(tài)下，按遙控器或

  2006-04-18
• 飛兆開(kāi)發(fā)出二極管的器件FDZ3N513ZT，專為智能電話的顯示屏提供照明

  飛兆半導(dǎo)體 (NYSE: FCS) 開(kāi)發(fā)出結(jié)合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT，占位面積僅為1mm x 1mm。 FDZ3N513ZT是升壓轉(zhuǎn)換器中的主要元件，用以驅(qū)動(dòng)串聯(lián)白光LED，為智能電話的顯示屏(以及按鍵，如果有鍵盤的話)提供照明。

  2018-08-31
• 愛(ài)特梅爾推出全新SAM3N Cortex-M3 Flash系

  愛(ài)特梅爾公司(Atmel® Corporation)推出全新SAM3N系列微控制器，擴(kuò)展其ARM® Cortex™-M3 Flash系列。新推出的SAM3N系列是瞄準(zhǔn)消費(fèi)、工業(yè)控制、計(jì)量、玩具、醫(yī)療、測(cè)試和測(cè)量、802.15

  2010-11-18
• STx6N62K3/STx3N62K3利用SuperMESH

  STx6N62K3/STx3N62K3利用SuperMESH3技術(shù)降低導(dǎo)通電阻,提高節(jié)能燈鎮(zhèn)流器等照明應(yīng)用的工作能效 功率半導(dǎo)體世界領(lǐng)先廠商意法半導(dǎo)體進(jìn)一

  2008-09-25
• 3nm制程工藝或?qū)⒂瓉?lái)希望

  現(xiàn)在的EUV光刻機(jī)使用的是波長(zhǎng)13.5nm的極紫外光，而普通的DUV光刻機(jī)使用的是193nm的深紫外光，所以升級(jí)到EUV光刻機(jī)可以大幅提升半導(dǎo)體工藝水平，實(shí)現(xiàn)7nm及以下工藝。

  2018-11-01
• 臺(tái)積電狂砸310億元奔向3nm工藝

  8月14日，臺(tái)積電召開(kāi)董事會(huì)，做出多項(xiàng)重大決議，首要的就是投入巨額資金，繼續(xù)推進(jìn)產(chǎn)能和工藝，保持領(lǐng)先地位。

  2018-08-18
• 有方科技NB-IoT模組N21-EA順利通過(guò)GCF測(cè)試并獲得認(rèn)證

  近日，有方科技NB-IoT模組N21-EA順利通過(guò)GCF(Global Certification Forum)測(cè)試并獲得認(rèn)證，成為有方又一款通過(guò)該認(rèn)證的NB-IoT模組，這將為N21-EA拓展海外市場(chǎng)提供有力保障。

  2023-12-29
• 借助NB-IoT和SARA-N3降低監(jiān)測(cè)應(yīng)用設(shè)備總體功耗

  借助NB-IoT和SARA-N3降低監(jiān)測(cè)應(yīng)用設(shè)備總體功耗

  2023-11-29

系列產(chǎn)品索引查看所有產(chǎn)品