NV25640

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• DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM

  　　DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控

  2010-10-21
• DS1350 4096k非易失(NV) SRAM

  　　DS1350 4096k非易失(NV) SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)NV SRAM，

  2010-10-21
• 新一代NV SRAM技術(shù)

  新一代NV SRAM技術(shù) 第一代NV SRAM模塊問(wèn)世近20年來(lái)，NV SRAM技術(shù)不斷更新，以保持與各種應(yīng)用同步發(fā)展，同時(shí)滿足新的封裝技術(shù)不斷增長(zhǎng)的需求。 發(fā)展與現(xiàn)狀

  2008-11-26
• 64Kbit非易失性鐵電存儲(chǔ)器FM25640B的功能及特征

  ...度或能源效率。本篇文章介紹64Kbit非易失性鐵電存儲(chǔ)器FM25640B。

  2021-06-30
• 關(guān)于NV612X GaNFast? 功率半導(dǎo)體器件的熱處理

  最新的納微GaNFast 電源集成電路NV6123/25/27，集成在6mmx8mm 的QFN封裝內(nèi)。這個(gè)封裝增加了一個(gè)大的冷卻片，用于降低封裝的熱阻和提高散熱性能。 這種封裝使高密度電源的設(shè)計(jì)更加可靠，特別是對(duì)于沒(méi)有氣流的全封閉充電器和適配...

  2020-07-16
• Mobileye NV利用英特爾的技術(shù)開發(fā)激光傳感器

  據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，Mobileye NV正在利用母公司英特爾的芯片制造技術(shù)開發(fā)激光傳感器。該公司表示，到2025年，自動(dòng)駕駛汽車的價(jià)格將變得足夠低廉，可以在消費(fèi)者中普及開來(lái)。

  2021-01-12
• NVIDIA文本嵌入模型NV-Embed的精度基準(zhǔn)

  NVIDIA 的最新嵌入模型 NV-Embed —— 以 69.32 的分?jǐn)?shù)創(chuàng)下了嵌入準(zhǔn)確率的新紀(jì)錄海量文本嵌入基準(zhǔn)測(cè)試（MTEB）涵蓋 56 項(xiàng)嵌入任務(wù)。

  2024-08-24
• 賽普拉斯NV-SRAM的解決方案，它的優(yōu)勢(shì)是什么

  賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元（訪問(wèn)時(shí)間高達(dá)20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲(chǔ)元件相結(jié)合，可提供快速的異步讀寫訪問(wèn)速度，并在其整個(gè)工作范圍

  2020-12-22

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