購(gòu)物車0制造商:ON
| 型號(hào) | 制造商 | 描述 | 購(gòu)買 |
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| NV25640DTHFT3G | - | - | 立即購(gòu)買 |
| 標(biāo)題 | 類型 | 大?。↘B) | 下載 |
|---|---|---|---|
| TSSOP8, 4.4x3 | 54 | 點(diǎn)擊下載 | |
| 64-Kb SPI Serial CMOS EEPROM | 200 | 點(diǎn)擊下載 |
DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控
DS1350 4096k非易失(NV) SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)NV SRAM,
新一代NV SRAM技術(shù) 第一代NV SRAM模塊問(wèn)世近20年來(lái),NV SRAM技術(shù)不斷更新,以保持與各種應(yīng)用同步發(fā)展,同時(shí)滿足新的封裝技術(shù)不斷增長(zhǎng)的需求。 發(fā)展與現(xiàn)狀
...度或能源效率。本篇文章介紹64Kbit非易失性鐵電存儲(chǔ)器FM25640B。
最新的納微GaNFast 電源集成電路NV6123/25/27,集成在6mmx8mm 的QFN封裝內(nèi)。這個(gè)封裝增加了一個(gè)大的冷卻片,用于降低封裝的熱阻和提高散熱性能。 這種封裝使高密度電源的設(shè)計(jì)更加可靠,特別是對(duì)于沒(méi)有氣流的全封閉充電器和適配...
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,Mobileye NV正在利用母公司英特爾的芯片制造技術(shù)開發(fā)激光傳感器。該公司表示,到2025年,自動(dòng)駕駛汽車的價(jià)格將變得足夠低廉,可以在消費(fèi)者中普及開來(lái)。
NVIDIA 的最新嵌入模型 NV-Embed —— 以 69.32 的分?jǐn)?shù)創(chuàng)下了嵌入準(zhǔn)確率的新紀(jì)錄海量文本嵌入基準(zhǔn)測(cè)試(MTEB)涵蓋 56 項(xiàng)嵌入任務(wù)。
賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元(訪問(wèn)時(shí)間高達(dá)20 ns)與基于硅氧化物和亞硝酸鹽,氧化物硅(SONOS)的非易失性存儲(chǔ)元件相結(jié)合,可提供快速的異步讀寫訪問(wèn)速度,并在其整個(gè)工作范圍
| NUF6401MN | NCV81071 | NC7S00 | NCV1124 |
| NB4L339 | NV25010 | NCV7748 | NCN4555 |
| NLSV8T244 | NCP301 | NCP1288 | NUF4310 |
| NSI45025Z | NCP51199 | NBC12439 | NSI45060JD |
| NCN6001 | NB3L208K | NB3L8504S | NIS5132 |