STPS3L60S

產(chǎn)品信息

電路圖、引腳圖和封裝圖

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  STPS3L60S電路圖

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  STPS3L60S 引腳圖

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  STPS3L60S 封裝圖

應(yīng)用案例更多案例

• FORESEE DDR3L，堅(jiān)持行業(yè)高標(biāo)準(zhǔn)

  隨著5G、IoT技術(shù)的持續(xù)發(fā)展，智能電子設(shè)備對(duì)小容量存儲(chǔ)產(chǎn)品的可靠性、穩(wěn)定性和兼容性方面提出了更高的要求。

  2020-09-21
• 基于VHDL的XRD44L60驅(qū)動(dòng)時(shí)序設(shè)計(jì)

  基于VHDL的XRD44L60驅(qū)動(dòng)時(shí)序設(shè)計(jì) 電荷耦合器件(Charge Coupled Devices，簡(jiǎn)稱CCD)是一種光電轉(zhuǎn)換式圖像傳感器。它利用光電轉(zhuǎn)換原理將圖像信息直接轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，實(shí)現(xiàn)非電量

  2009-05-13
• 3L465構(gòu)成中頻信號(hào)發(fā)生器電路

  工作原理：VTl、VT2及有關(guān)元件組成多諧振蕩器，頻率為400Hz左右，用以調(diào)制中頻信號(hào)，音頻信號(hào)還可以從A點(diǎn)輸出。VT3、VT4組成中頻信號(hào)發(fā)生器，DL起選頻作用。調(diào)節(jié)RP可改變振蕩強(qiáng)度。在

  2011-10-14
• Central采用SOD-882L封裝的CFSH2-3L低VF肖特基二極管

  Central Semiconductor公司公布了采用低空間占用的SOD-882L封裝的CFSH2-3L低VF肖特基二極管。新元件的反向重復(fù)峰值電壓為30V，

  2011-10-20
• JEDEC發(fā)布DDR3存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)的DDR3L規(guī)范

  JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)，微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)全球領(lǐng)導(dǎo)制定機(jī)構(gòu)，今天宣布正式發(fā)布JEDEC DDR3L規(guī)范。這是廣受期待的DDR3存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)JESD79-3 的附件。這是DDR3作為當(dāng)今DRAM主導(dǎo)性標(biāo)準(zhǔn)演變的繼續(xù)

  2010-08-05
• 帶你走進(jìn)“聯(lián)發(fā)科技校園軟件大賽”：優(yōu)勝獎(jiǎng)“3L”

  聯(lián)發(fā)科技校園軟件大賽——3L 獎(jiǎng)項(xiàng)：優(yōu)勝獎(jiǎng)

  2018-06-23
• 內(nèi)存條PC3L中的L低壓內(nèi)存的作用

  首先我們要說的是，低壓內(nèi)存這個(gè)概念主要是針對(duì)筆記本而言的，在Haswell之前的上一lvyBridge平臺(tái)上，英特爾就加入了對(duì)DDR3L內(nèi)存的支持，包括聯(lián)想Yoga在內(nèi)的很多l(xiāng)vyBridge平臺(tái)超極本就已經(jīng)武裝上這種低壓內(nèi)存了。

  2020-03-28
• Vishay發(fā)布新款MOS勢(shì)壘肖特基整流器VSSAF3L45

  Vishay推出具有高電流密度的新款45V TMBS? Trench MOS勢(shì)壘肖特基整流器--- VSSAF3L45和VSSAF5L45

  2012-12-06

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