購物車0
The SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.
Especially suited for use in PFC applications, this ST SiC diode will boost the performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases.
碳化硅二極管是一種超高性能的功率肖特基二極管。它是使用碳化硅襯底制造的。寬禁帶材料允許的肖特基二極管結(jié)構的設計與650伏的評級。由于肖特基結(jié)構,沒有恢復被證明在關斷和鈴聲模式是可以忽略不計。最小的電容關斷行為是獨立的溫度。
特別適合使用在PFC應用,這將促進ST SiC二極管在硬開關條件下的性能。它的高正向浪涌能力,保證了良好的魯棒性,在暫態(tài)階段。
No or negligible reverse recovery
Switching behavior independent of temperature
Dedicated to PFC applications
High forward surge capability
主要特點
沒有或可以忽略不計的反向恢復
溫度開關行為
致力于PFC的應用
高正向浪涌能力

STPSC20H065C電路圖

STPSC20H065C 引腳圖

STPSC20H065C 封裝圖

STPSC20H065C 封裝圖

STPSC20H065C 封裝圖
對于微軟來說,除了要讓Windows 7快速退場外,他們還在忙著Windows 10 20H1的準備工作。
相信不少人在等待Windows 10的重要更新版本,事實上微軟也在努力推進,其會在新系統(tǒng)中加入一種新的算法,該算法使整體系統(tǒng)性能有了相當大的提升,特別是在CPU和磁盤使用率方面讓系統(tǒng)的運轉(zhuǎn)更加高效。
三星Galaxy S20 FE真機被曝光。和Galaxy S20相比,Galaxy S20 FE外觀最大的不同是采用直屏(Galaxy S20為雙曲面屏),背部為矩陣相機造型。除此之外,Galaxy
產(chǎn)品概述:DK065G是一款高度集成了650V/260mΩGaNHEMT的準諧振反激控制AC-DC功率開關芯片。DK065G檢測功率管漏極和源極之間的電壓(VDS),當VDS達到其最低值時開啟功率管
產(chǎn)品介紹 宏微科技本次推出適合125kW組串式光伏逆變器的產(chǎn)品MMG400CF065PD6T5C/MMG450HP065PD6T5, 采用宏微GCF與GHP封裝(兼容Easy 3B / Flow2
20個常用模擬電路分享
宇凡微QFN20封裝是一種表面貼裝封裝技術,廣泛應用于電子產(chǎn)品的集成電路中。QFN代表"Quad Flat No-leads",即四面無引腳的扁平封裝。QFN20封裝具有小尺寸、高密度、良好的散熱
| STTH61R04TV | SSM2932 | STPSC12H065 | SN65HVD11-HT |
| SS14 | SSM2166 | SMA3101 | STPS1L20M |
| SST25VF040B | STW82101B | STPS20SM100S | SPBT2632C2A |
| SSM2019 | STPS2L60 | SMF05CT1G | SST26VF016 |
| STTH60SW03C | SSM2804 | SM28VLT32-HT | STM32L051C8T6 |