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The SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 600 V rating. Due to the Schottky construction no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.
ST SiC diodes will boost the performance of PFC operations in hard switching conditions.
碳化硅二極管是一種超高性能的功率肖特基二極管。它是使用碳化硅襯底制造的。寬禁帶材料允許的肖特基二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計與600伏的評級。由于肖特基結(jié)構(gòu)沒有恢復(fù)是在關(guān)斷和鈴聲模式顯示可以忽略不計。最小的電容關(guān)斷行為是獨立的溫度。
ST SiC二極管將促進在硬開關(guān)條件下PFC操作的性能。
No or negligible reverse recovery
Switching behavior independent of temperature
Particularly suitable in PFC boost diode function
主要特點
沒有或可以忽略不計的反向恢復(fù)
溫度開關(guān)行為
在PFC升壓二極管功能特別適合

STPSC806電路圖

STPSC806 引腳圖

STPSC806 封裝圖

STPSC806 封裝圖
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| STTH6002C | STPSC8H065C | STTH310-Y | STPS4S200 |
| STPS2L25 | STPSC606 | STTH1302 | STPS2045CH |
| STTH2003C-Y | SST12LP08 | SS14 | SST49LF016C |
| STTH120R04TV | STTH12T06 | STTH20W02C | STW81102 |