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IL261E
- 品???????牌：NVE
- 型???????號： IL261E
點(diǎn)擊復(fù)制 - 商品編號：
點(diǎn)擊復(fù)制 - 封裝規(guī)格： SOIC-16-300mil
點(diǎn)擊復(fù)制 - 商品描述： 采用專利的IsoLoop自旋電子巨磁阻（GMR）技術(shù)制造的CMOS器件。獨(dú)特的陶瓷/聚合物復(fù)合屏障提供出色的隔離性能和幾乎無限的屏障壽命。所有發(fā)射和接收通道在全溫度和電源電壓范圍內(nèi)以110 Mbps的速度運(yùn)行。對稱磁耦合屏障的典型傳播延遲僅為10 ns，脈沖寬度失真為2 ns，達(dá)到任何隔離器的最佳規(guī)格
下載EDA模型IL261E 由 NVE 設(shè)計(jì)生產(chǎn),在 華秋商城 現(xiàn)貨銷售,并且可以通過 等渠道進(jìn)行代購。 IL261E 價(jià)格參考￥ 61.6572 。 NVE IL261E 封裝/規(guī)格： SOIC-16-300mil, 采用專利的IsoLoop自旋電子巨磁阻（GMR）技術(shù)制造的CMOS器件。獨(dú)特的陶瓷/聚合物復(fù)合屏障提供出色的隔離性能和幾乎無限的屏障壽命。所有發(fā)射和接收通道在全溫度和電源電壓范圍內(nèi)以110 Mbps的速度運(yùn)行。對稱磁耦合屏障的典型傳播延遲僅為10 ns，脈沖寬度失真為2 ns，達(dá)到任何隔離器的最佳規(guī)格。你可以下載 IL261E 中文資料、引腳圖、Datasheet數(shù)據(jù)手冊功能說明書，資料中有 詳細(xì)引腳圖及功能的應(yīng)用電路圖電壓和使用方法及教程
手機(jī)版： IL261E
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