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LDMOS 射頻功率晶體管
NXP 的 LDMOS 射頻功率晶體管（LDMOS RF Power Transistors）采用標(biāo)準(zhǔn)的 TO-247?和 TO-220 封裝
發(fā)布時間：2018-09-13
NXP Semiconductors 提供兩個電源模塊，有望擴展射頻功率產(chǎn)業(yè)并成為未來幾年的標(biāo)準(zhǔn)。這些 LDMOS 晶體管的簡單性在于無處不在的 TO-247 和 TO-220 功率封裝還具有射頻功率能力，從而易于安裝。TO-247 和 TO-220 封裝可使安裝射頻功率晶體管采用簡單的通孔技術(shù)，因此無需復(fù)雜的回流焊工藝，大大簡化了制造。緊湊型參考電路可在 1.8 MHz 至 250 MHz 范圍內(nèi)重復(fù)使用，從而為大多數(shù) HF 和 VHF 系統(tǒng)節(jié)省大量成本并簡化供應(yīng)鏈。
LDMOS 射頻功率晶體管特性
頻段內(nèi)的 PA 設(shè)計重復(fù)使用
MRF300AN 由一系列共享相同 PCB 布局 (2" x 3” 或 5.1 cm x 7.1 cm) 的窄帶參考電路支持，從而使得射頻設(shè)計人員能夠生成功率放大器以快速處理其他頻率
二引腳配置可實現(xiàn)寬帶設(shè)計
100 W 和 300 W 解決方案均采用 2 引腳相互映射的方式，以支持推挽式配置
成本低廉、安裝靈活
許多安裝選項提供了極大的靈活性，有助于進(jìn)一步縮短物料清單和上市時間
無處不在的 TO-247 和 TO-220 封裝可采用簡單的通孔技術(shù)安裝射頻功率晶體管，無需復(fù)雜的回流焊工藝，顯著提高了制造過程中的可用性
LDMOS 射頻功率晶體管應(yīng)用
一、工業(yè)、科技和醫(yī)療 (ISM)
激光發(fā)生
等離子蝕刻
粒子加速器
MRI 和其它醫(yī)療應(yīng)用
工業(yè)加熱、焊接和干燥系統(tǒng)
二、廣播
無線電廣播
VHF TV 廣播
三、開關(guān)模式電源
四、航空航天
VHF 全向性范圍 (VOR)
HF 和 VHF 通信
雷達(dá)
五、移動無線電
VHF 和 UHF 基站
業(yè)余無線電
| 圖片 | 數(shù)據(jù)手冊 | 產(chǎn)品型號 | 產(chǎn)品分類 | 產(chǎn)品描述 | 價格 | 操作 |
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