閂鎖性能超過(guò) 100 mA，符合 JESD 78 II 類標(biāo)準(zhǔn)

經(jīng)測(cè)試，ESD 性能符合 JESD 22 標(biāo)準(zhǔn)

   2000 V 人體模型（符合 A114-B II 類標(biāo)準(zhǔn)）

   1000 V 帶電荷器件模型 (C101)

采用 Texas Instruments NanoStar? 封裝

低靜態(tài)功耗（I CC = 0.9μA，最大值）

低動(dòng)態(tài)功耗（Cpd = 1 pF，3.3 V 時(shí)的典型值）

低輸入電容（Ci = 1.5 pF，典型值）

低噪聲：過(guò)沖和欠沖 < VCC 的 10%

Ioff 支持在部分掉電模式下工作

輸入滯后允許緩慢輸入轉(zhuǎn)換，并使輸入端具有更好的抗開關(guān)噪聲能力（3.3 V 時(shí)，Vhys= 250 mV，典型值）

寬工作 Vcc 范圍：0.8 V 至 3.6 V

針對(duì) 3.3 V 工作電壓進(jìn)行了優(yōu)化

支持混合模式信號(hào)操作的 3.6 V I/O 容限

3.3 V 時(shí)，tpd = 3.6 ns（最大值）

適合點(diǎn)對(duì)點(diǎn)應(yīng)用