閂鎖性能超過 100 mA，符合 JESD 78 II 類標(biāo)準(zhǔn)

經(jīng)測(cè)試，ESD 性能符合 JESD 22 標(biāo)準(zhǔn)

   2000 V 人體模型（符合 A114-B II 類標(biāo)準(zhǔn)）

   1000 V 充電設(shè)備模型 (C101)

采用 Texas Instruments NanoStar 封裝

低靜態(tài)功耗（Icc = 0.9 μA，最大值）

低動(dòng)態(tài)功耗 (Ipd = 4 pF，3.3 V 下的典型值）

低輸入電容（Ci = 1.5 pF，典型值）

低噪聲：過沖和欠沖 < VCC 的 10%

輸入禁用功能允許浮動(dòng)輸入條件

Ioff 支持在部分掉電模式下工作

輸入滯后允許在輸入端實(shí)現(xiàn)慢速輸入轉(zhuǎn)換和更好的開關(guān)噪聲抑制

寬工作 Vcc 范圍：0.8 V 至 3.6 V

針對(duì) 3.3 V 工作電壓進(jìn)行了優(yōu)化

支持混合模式信號(hào)工作的 3.6 V I/O 容限

3.3 V 時(shí)，tpd = 4.6 ns（最大值）

適合點(diǎn)對(duì)點(diǎn)應(yīng)用