這些 STx8N120K5 1,200 V、2Ω（最大值）、6 A MOSFET 器件完善了 STMicroelectronics 的極高壓 MOSFET 產(chǎn)品組合，采用 ST 專有的 MDmesh K5 超結(jié)技術(shù)進行了全面開發(fā)，以提高功率密度和效率。

得益于極低的 RDS（on）、同類最佳的柵極電荷（Qg）以及易于使用的高效設計，ST 的 MDmesh K5 MOSFET 非常適合計量、電信、電信、板載充電器和 3 相輔助電源應用中的反激式轉(zhuǎn)換器。