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MMRF5017HS 射頻功率 GaN 晶體管
NXP 的 MMRF5017HS 高增益和高堅(jiān)固性使該器件（MMRF5017HS RF Power GaN Transistor）非常適合用于連續(xù)波、脈沖和寬帶射頻應(yīng)用
發(fā)布時(shí)間：2018-09-13
NXP 的 MMRF5017HS 125 W 射頻功率 GaN 晶體管能夠在 30 MHz 至 2200 MHz 的寬頻帶內(nèi)工作，非常適合用于連續(xù)波、脈沖和寬帶射頻應(yīng)用。對(duì)于工作在 30 MHz 至 2200 MHz 頻段的應(yīng)用，提供性能保證。
MMRF5017HS 射頻功率 GaN 晶體管特性
先進(jìn)的 GaN on SiC 技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了高功率密度
十年帶寬性能
輸入匹配，以擴(kuò)展寬帶性能
高堅(jiān)固性：> 10:1 VSWR
符合 RoHS 規(guī)范
MMRF5017HS 射頻功率 GaN 晶體管應(yīng)用
公共移動(dòng)無(wú)線電，包括應(yīng)急服務(wù)無(wú)線電
工業(yè)、科技和醫(yī)療 (ISM)
寬帶實(shí)驗(yàn)室放大器
無(wú)線蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施
| 圖片 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | 產(chǎn)品型號(hào) | 產(chǎn)品分類 | 產(chǎn)品描述 | 價(jià)格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | MMRF5017HSR5 | MOSFETs-晶體管 | RF MOSFET HEMT 50V NI400S-2S | 在線訂購(gòu) |
工商網(wǎng)監(jiān)