IQD Frequency Products 的 OCXO 具有超高的壓電性能，穩(wěn)定性低至不到 ±1 ppb（十億分之幾）。OCXO 的頻率穩(wěn)定性甚至優(yōu)于 TCXO。通過(guò)在烘箱中加熱晶體并保持石英溫度固定，減小了溫度變化引起的石英晶體頻率漂移。低相位噪聲是當(dāng)今應(yīng)用的關(guān)鍵要求，IQD 的 OCXO 實(shí)現(xiàn)了卓越的相位噪聲性能，1 Hz 偏移時(shí)低至 -113 dBc/Hz，1 MHz 偏移時(shí)低至 -182dBc/Hz。OCXO 傳統(tǒng)上采用高功耗大通孔封裝，然而最新的技術(shù)意味著這類器件現(xiàn)在可以采用功耗更低，體積更小的 SMD 封裝。

IQOV-162

IQD 的 IQOV-162 系列 OCXO 采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) SMD 封裝，尺寸為 14 mm x 9.0 mm x 6.5 mm，其在 -40°C 至 +85°C 的整個(gè)工業(yè)溫度范圍內(nèi)頻率穩(wěn)定性為 ±20 ppb。超小型 OCXO 的頻率為 10.0 MHz、12.80 MHz、19.20 MHz、20.0 MHz 和 38.88 MHz。這類器件采用 3.3 V 電源供電，提供 HCMOS 15 pF 負(fù)載輸出。IQOV-162 具有1 kHz 偏移時(shí) -150dBc/Hz、100 kHz 偏移時(shí) -155 dBc/Hz 的出色相位噪聲性能，以及每年最大 ±500 ppb 的出色抗老化性能。OCXO 提供一個(gè)電壓控制選項(xiàng)，用于通過(guò)調(diào)節(jié)頻率來(lái)進(jìn)行校正，且可牽引范圍為 ±3 ppm 至 ±8 ppm。

IQOV-162 系列主要用于 4G/LTE 基站、ATM 背板、毫微微蜂窩基站、光纖網(wǎng)絡(luò)、SATA 和衛(wèi)星通信等應(yīng)用，或者要求 OCXO 外形非常扁平的應(yīng)用。

IQOV-164

IQOV-164 系列 OCXO 采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) 5 引腳歐式封裝，尺寸為 36 mm x 27 mm x 13.5 mm，在 -20°C 至 +70° 工作溫度范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)了 ±0.2 ppb 的卓越頻率穩(wěn)定性。這種超高穩(wěn)定性 OCXO 還可以在 -30°C 至 +75°C 的更大溫度范圍內(nèi)工作，且溫度穩(wěn)定性能僅有 ±0.7 ppb 的輕微下降。該 OCXO 的頻率范圍為 10 MHz 至 40 MHz，其預(yù)熱僅需 3 分鐘且此期間功耗為 7.0 W。其設(shè)計(jì)電源為 3.3 V 并向 50 歐姆負(fù)載提供正弦波輸出；也可提供 HCMOS 輸出。相位噪聲性能通常為100 kHz 時(shí) -145 dBc/Hz、100 kHz 偏移時(shí) -158 dBc/Hz；IQOV-164 可通過(guò)不同的頻率牽引選項(xiàng)指定，以抵消老化影響。短期穩(wěn)定性為 1E-11/S，典型老化率為每天 ±0.2 ppb、每年 ±10 ppb，具體取決于所需的規(guī)格。MTIE/TDEV 測(cè)試適用于此型號(hào)。

IQOV-164 系列主要用于 4G/LTE 和 5G 基站、GPS、點(diǎn)對(duì)點(diǎn)通信、雷達(dá)、同步光纖網(wǎng)絡(luò) (SONET)/同步數(shù)字系列 (SDH)、同步以太網(wǎng)以及測(cè)試、測(cè)量等應(yīng)用。