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TP65H035WS 共源共柵氮化鎵 (GaN) FET
Transphorm 的 TP65H035WS 共源共柵 GaN FET （TP65H035WS Cascode Gallium Nitride (GaN) FET）采用 TO-247 封裝，具有出色的可靠性和性能
發(fā)布時(shí)間：2018-09-13
Transphorm 的 TP65H035WS 650 V、35 mΩ GaN FET 是一款常閉器件。該器件結(jié)合了先進(jìn)的高電壓 GaN HEMT 和低電壓硅 MOSFET 技術(shù)，具有出色的可靠性和性能。
Transphorm 的 GaN 通過更低的柵極電荷、更低的交越損耗和更小的反向恢復(fù)電荷，提升了硅器件的效率。
TP65H035WS 共源共柵氮化鎵 (GaN) FET特性
符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)的 GaN 技術(shù)
動(dòng)態(tài) RDS(ON)eff 生產(chǎn)檢驗(yàn)
較低 QRR
降低了交越損耗
符合 RoHS 規(guī)范且無鹵素的封裝
通過以下方式實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)健的設(shè)計(jì)：
本征使用壽命測(cè)試
寬柵極安全裕量
瞬態(tài)過壓能力
TP65H035WS 共源共柵氮化鎵 (GaN) FET應(yīng)用
數(shù)據(jù)通信
廣泛的工業(yè)
光伏逆變器
伺服電機(jī)
| 圖片 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | 產(chǎn)品型號(hào) | 產(chǎn)品分類 | 產(chǎn)品描述 | 價(jià)格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | TP65H035WS | MOSFETs-晶體管 | GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3 | 在線訂購 |
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