
950 V CoolMOS?P7 MOSFET

Infineon 的 MOSFET (950 V CoolMOS?P7 MOSFET)專(zhuān)注于低功耗 SMPS 市場(chǎng)
發(fā)布時(shí)間:2018-09-13
Infineon 950 V CoolMOS P7 技術(shù)旨在滿(mǎn)足高壓 MOSFET 領(lǐng)域日益增長(zhǎng)的消費(fèi)需求,專(zhuān)注于低功耗 SMPS 市場(chǎng),滿(mǎn)足各種應(yīng)用需求,如照明、智能電表、手機(jī)充電器或筆記本電腦適配器,以及 AUX 電源和工業(yè) SMPS。950 V P7 系列提供比其前代產(chǎn)品 CoolMOS C3 高 50 V 的阻斷電壓,在效率、熱性能和易用性方面表現(xiàn)出色。
950 V CoolMOS?P7 MOSFET特性
優(yōu)秀的 FOM RDS(ON)* EOSS;降低了 Qg、CISS 和 COSS
DPAK RDS(ON) 為 450mΩ
V(GS)th 為 3 V,最小 V(GS) 變化為 ±0.5 V
集成齊納二極管 ESD 保護(hù)器件,可達(dá) 2 類(lèi) (HBM) 標(biāo)準(zhǔn)
高質(zhì)量與可靠性
相比 CoolMOS C30,實(shí)現(xiàn)了高達(dá) 1% 的能效提升,MOSFET 溫度降低 2°C 至 10°C
能夠?qū)崿F(xiàn)更高的功率密度設(shè)計(jì),減小 BOM,降低裝配成本
易于驅(qū)動(dòng)、易于設(shè)計(jì)導(dǎo)入
降低了 ESD 相關(guān)故障,實(shí)現(xiàn)了更高產(chǎn)出
減少了生產(chǎn)問(wèn)題,降低了現(xiàn)場(chǎng)返工率
950 V CoolMOS?P7 MOSFET應(yīng)用
照明
智能電表
充電器
適配器
AUX 電源
| 圖片 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | 產(chǎn)品型號(hào) | 產(chǎn)品分類(lèi) | 產(chǎn)品描述 | 價(jià)格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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