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700 V CoolMOS? P7 功率晶體管
Infineon 的 600 V CoolMOS P7 SJ MOSFE T （600 V CoolMOS? P7 Power Transistors）采用 TO-247 4 引腳封裝，具有不對(duì)稱引線
發(fā)布時(shí)間：2018-09-13
Infineon 豐富的 600 V CoolMOS P7 SJ MOSFET 產(chǎn)品系列現(xiàn)在包括標(biāo)準(zhǔn) TO-247 4 引腳封裝的改進(jìn)版本。TO-247 4 引腳具有非對(duì)稱引線，其關(guān)鍵引線之間的爬電距離增加了0.54 mm，可實(shí)現(xiàn)更平滑的波峰焊接并降低板良率損失。用作柵極驅(qū)動(dòng)電壓基準(zhǔn)電位的源極（開爾文連接）的上額外連接消除了源極電感上的電壓降影響，從而實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)瞬變，最終顯著提高效率。這樣可以實(shí)現(xiàn)更高的 MOSFET R DS(on) 利用率并節(jié)省 BOM 成本。CoolMOS P7 是 Infineon 的最佳平衡技術(shù)，能夠在易用性和最高能效之間實(shí)現(xiàn)優(yōu)化平衡。
TO-247 4引腳概念（TO-247與TO-247 4引腳）
700 V CoolMOS? P7 功率晶體管特性
優(yōu)勢(shì)
適用于硬開關(guān)和軟開關(guān)（PFC 和 LLC）
通過低振鈴趨勢(shì)和使用 PFC 和 PWM 級(jí)來實(shí)現(xiàn)易用性和快速設(shè)計(jì)
由于低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗，簡(jiǎn)化了熱管理
由于 > 2 kV ESD 保護(hù)，制造質(zhì)量更高
通過使用封裝更小的產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)更高的功率密度解決方案
適用于各種應(yīng)用和功率范圍
降低寄生源電感對(duì)柵極電路的影響，實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)操作和更高的效率
利用開爾文源效率的優(yōu)勢(shì)，可以使用更高的 MOSFET R DS(on) 并降低 BOM 成本
爬電距離滿足 5000米 高度要求
更容易由客戶設(shè)計(jì)
不對(duì)稱引線可簡(jiǎn)化波峰焊接，并提高電路板良率損失
特性
出色的換向穩(wěn)健性
效率和易用性之間的優(yōu)化平衡
顯著降低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗
所有產(chǎn)品均具有出色的 ESD 穩(wěn)定性> 2 kV (HBM)
媲美競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的更優(yōu) RDS(on) / 封裝，得益于低 RDS(on) x A（小于 1 Ω x mm2）
大型產(chǎn)品組合，提供粒度 RDS(on) 選擇，以滿足各種不同的工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用的要求
第 4 引腳（開爾文源）
增加高壓引腳之間的爬電距離
門信號(hào)優(yōu)化
不對(duì)稱引線會(huì)增加了關(guān)鍵引腳的距離
700 V CoolMOS? P7 功率晶體管應(yīng)用
電信
服務(wù)器
太陽能
工業(yè)
| 圖片 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | 產(chǎn)品型號(hào) | 產(chǎn)品分類 | 產(chǎn)品描述 | 價(jià)格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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