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BLL8Hxx系列射頻功率晶體管
Ampleon推出BLL8Hxx系列射頻功率晶體管（BLL8Hxx Family RF Power Transistors），具有集成的雙面ESD，內(nèi)部匹配和改善的堅(jiān)固性
發(fā)布時(shí)間：2018-09-13
Ampleon推出其第8代50 V LDMOS技術(shù)的BLL8Hxx系列射頻功率晶體管，用于L波段雷達(dá)應(yīng)用。BLL8Hxx系列提供出色的寬帶操作（1.2-1.4 GHz），輸出功率為25,130,250和500 W（P，1 dB）。BLL8Hxx系列具有集成的雙面ESD，內(nèi)部匹配，改善的堅(jiān)固性，高效率（典型值50％）和出色的熱穩(wěn)定性。
BLL8H0514-25： 25 W LDMOS晶體管，適用于0.5 GHz至1.4 GHz范圍內(nèi)的脈沖應(yīng)用
BLL8H0514L（S）-130： 130 W LDMOS晶體管，適用于0.5 GHz至1.4 GHz范圍內(nèi)的脈沖應(yīng)用
BLL8H1214LS-500： 500 W LDMOS功率晶體管，適用于1.2 GHz至1.4 GHz范圍內(nèi)的L波段雷達(dá)應(yīng)用
BLL8H1214L（S）-250： 250 W LDMOS功率晶體管，適用于1.2 GHz至1.4 GHz范圍內(nèi)的L波段雷達(dá)應(yīng)用
BLL8Hxx系列射頻功率晶體管特性
易于控制功率
集成雙側(cè)ESD保護(hù)
脈沖格式具有高度靈活性
出色的堅(jiān)固性
高效率
出色的熱穩(wěn)定性
專為寬帶操作而設(shè)計(jì)（1.2 GHz至1.4 GHz）
內(nèi)部匹配，易于使用
符合指令2002/95 / EC，關(guān)于有害物質(zhì)限制（RoHS）
BLL8Hxx系列射頻功率晶體管應(yīng)用
用于1.2 GHz至1.4 GHz頻率范圍內(nèi)雷達(dá)應(yīng)用的L波段功率放大器
| 圖片 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | 產(chǎn)品型號(hào) | 產(chǎn)品分類 | 產(chǎn)品描述 | 價(jià)格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | BLL8H0514-25U | MOSFETs-晶體管 | 在線訂購(gòu) | ||
 | | BLL8H0514L-130U | MOSFETs-晶體管 | TRANS L-BAND LDMOS 130W SOT1135A | 在線訂購(gòu) | |
 | | BLL8H0514LS-130U | MOSFETs-晶體管 | 在線訂購(gòu) | ||
 | | BLL8H1214L-250U | MOSFETs-晶體管 | TRANS L-BAND LDMOS 250W SOT502A | 在線訂購(gòu) | |
 | | BLL8H1214LS-250U | MOSFETs-晶體管 | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502B | 在線訂購(gòu) | |
 | | BLL8H1214L-500U | MOSFETs-晶體管 | TRANS L-BAND LDMOS 500W SOT539A | 在線訂購(gòu) | |
 | | BLL8H1214LS-500U | MOSFETs-晶體管 | TRANS L-BAND LDMOS 500W SOT539B | 在線訂購(gòu) |
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