STMicroelectronics 的 STL12N10F7 N 溝道 100 V、11.3mΩ 典型電阻、12 A 功率 MOSFET 采用PowerFLAT?3.3 x 3.3 封裝和 STripFET F7 技術(shù)，具有增強(qiáng)型溝槽柵極結(jié)構(gòu)且可實(shí)現(xiàn)極低導(dǎo)通電阻，同時(shí)還可降低內(nèi)部電容和柵極電荷，實(shí)現(xiàn)更快、更高效的開關(guān)操作。