Toshiba TK040N65Z 系列下一代 650 V 功率 MOSFET 適用于數(shù)據(jù)中心、太陽能 (PV) 功率調(diào)節(jié)器、不間斷電源系統(tǒng) (UPS) 和其他工業(yè)應用中的服務器電源。

DTMOS VI 系列中的第一個器件是 TK040N65Z，這是一款支持高達 57 A 連續(xù)漏電流 (ID) 和 228 A (IDP) 脈沖的 650 V 器件。

該器件提供 0.04 Ω（0.033 Ω 典型值）超低漏-源導通電阻 RDS(ON)，可降低功率應用中的損耗。由于減小了設計中的電容，增強模式器件適用于現(xiàn)代高速電源。

由于關(guān)鍵性能指標/品質(zhì)因數(shù) (FoM) - RDS(ON) x QGD 的降低，電源效率得到提高。與之前的 DTMOS IV-H 器件相比，TK040N65Z 在這一重要指標上的性能提高了 40%，這表明在 2.5 kW PFC 電路中測得的電源效率顯著提高了 0.36%。