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TP65H050WS/TP65H035WS 第三代 (Gen III) 氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET)
Transphorm 的 GaN FET （TP65H050WS/TP65H035WS Third Generation (Gen III) Gallium Nitride (GaN) Field-Effect Transistors (FETs)）通過降低電磁干擾 (EMI) 和提高抗噪性來實現(xiàn)更安靜的開關(guān)
發(fā)布時間：2018-11-26
Transphorm 的 TP65H050WS 和 TP65H035WS 為 Gen III 650 V GaN FET。它們可以降低 EMI，提高柵極噪聲抗擾度，并在電路應(yīng)用中提供更大的裕量。50 mΩ TP65H050WS 和 35 mΩ TP65H035WS 采用標準 TO-247 封裝。
MOSFET 和設(shè)計修改使 Gen III 器件能夠?qū)㈤撝惦妷海乖肼暎?2.1 V (Gen II) 提升到更高的 4 V，從而無需負柵極驅(qū)動。柵極可靠性比第二代增加了11%，最高達到 ±20 V.這樣可以實現(xiàn)更安靜的切換，并且該平臺可通過簡單的外部電路在更高的電流水平下提供性能改善。
Seasonic Electronics 公司的 1600T 是 1600 W 無橋圖騰柱平臺，使用這些高壓 GaN FET 為電池充電器（電動滑板車、工業(yè)應(yīng)用等）、PC 電源、服務(wù)器和游戲市場帶來 99% 的功率因數(shù)校正 (PFC) 效率。將這些 FET 與基于芯片的 1600T 平臺一起使用的好處包括效率提高 2%，功率密度提高 20%。
1600T 平臺采用 Transphorm 的 TP65H035WS，以提高硬開關(guān)和軟開關(guān)電路的效率，并在設(shè)計電源系統(tǒng)產(chǎn)品時提供用戶選擇。TP65H035WS 可與常用的柵極驅(qū)動器配對，簡化了設(shè)計。
TP65H050WS/TP65H035WS 第三代 (Gen III) 氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET)特性
特征
符合 JEDEC 標準的 GaN 技術(shù)
穩(wěn)健的設(shè)計：
本征使用壽命測試
寬柵極安全裕量
瞬態(tài)過壓能力
動態(tài) RDS(on)eff 生產(chǎn)測試
非常低的 QRR
降低了分頻損耗
符合 RoHS 規(guī)范且無鹵素的封裝
優(yōu)勢
實現(xiàn)交流/直流 (AC/DC) 無橋圖騰柱 PFC 設(shè)計
更高的功率密度
減小系統(tǒng)尺寸和重量
提高 Si 的效率/運行頻率
使用常用的柵極驅(qū)動器易于驅(qū)動
GSD 引腳布局改善了高速設(shè)計
TP65H050WS/TP65H035WS 第三代 (Gen III) 氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET)應(yīng)用
數(shù)據(jù)通信
廣泛的工業(yè)應(yīng)用
PV 逆變器
伺服電機
| 圖片 | 數(shù)據(jù)手冊 | 產(chǎn)品型號 | 產(chǎn)品分類 | 產(chǎn)品描述 | 價格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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 | | TDINV3000W050-KIT | 時鐘/計時 - IC 電池 | 3.0KW INVERTER EVAL KIT | 在線訂購 |
| 圖片 | 數(shù)據(jù)手冊 | 產(chǎn)品型號 | 產(chǎn)品分類 | 產(chǎn)品描述 | 價格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | TP65H050WS | 氮化鎵晶體管(GaN HEMT)-晶體管 | 通孔 N 通道 650 V 34A（Tc） 119W（Tc） TO-247-3 | 在線訂購 | |
 | | TP65H035WS | MOSFETs-晶體管 | GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3 | 在線訂購 |
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