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PWD13F60 高密度功率驅(qū)動(dòng)器
STMicroelectronics PWD13F60 高密度集成功率 MOSFET ( PWD13F60 High-Density Power Driver ) 適用于各種不同的應(yīng)用
發(fā)布時(shí)間：2018-06-13
STMicroelectronics PWD13F60 是完整的 600 V、8 A 集成式功率 MOSFET 全橋，采用 13 mm x 10 mm 封裝，帶嵌入式的柵極驅(qū)動(dòng)器。該器件可為工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、燈具鎮(zhèn)流器、電源、轉(zhuǎn)換器和逆變器節(jié)省物料清單成本和板空間。
憑借比分立元件構(gòu)建的同類電路體積小 60% 的封裝，PWD13F60 提升了最終應(yīng)用的功率密度。它集成了四個(gè)功率 MOSFET，能為 DC 電機(jī)提供獨(dú)特的高效解決方案；是市場(chǎng)上通常為雙 FET 半橋或六 FET 三相設(shè)備的其他模塊的真正替代方案。與這些選擇不同的是，只需一個(gè) PWD13F60 即可實(shí)現(xiàn)全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，而不使用內(nèi)部 MOSFET。
PWD13F60 高密度功率驅(qū)動(dòng)器特性
在設(shè)計(jì)和系統(tǒng)組裝過(guò)程中節(jié)省 PCB 空間和 BOM 成本
600 V 全橋系統(tǒng)級(jí)封裝，具有 2 個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器和 4 功率 MOSFET
嵌入到柵極驅(qū)動(dòng)器的自舉二極管
高熱效 QFN 封裝
緊湊的 QFN (13 mm x 10 mm)，裸焊盤
適用于寬范圍的工業(yè)應(yīng)用
8 A 和 320 mΩ 嵌入式功率 MOSFET
輕松連接微控制器、DSP 單元或霍爾效應(yīng)傳感器
3.3 V 和 15 V 兼容輸入
最大的保護(hù)
集成的跨導(dǎo)和欠壓鎖定保護(hù)
PWD13F60 高密度功率驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用
用于工業(yè)和家用電器的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
工廠自動(dòng)化
風(fēng)扇和泵
HID、鎮(zhèn)流器
電源單元
DC-AC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
| 圖片 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | 產(chǎn)品型號(hào) | 產(chǎn)品分類 | 產(chǎn)品描述 | 價(jià)格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | PWD13F60TR | 柵極驅(qū)動(dòng)-電源管理 | HIGH-DENSITY POWER DRIVERS | ￥70.08458 | 在線訂購(gòu) |
 | | EVALPWD13F60 | 評(píng)估和演示板和套件-開(kāi)發(fā)板/套件/編程器 | EVALPWD13F60 | 在線訂購(gòu) |
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