ON Semiconductor 的場(chǎng)截止 (FS) IGBT 技術(shù)能讓設(shè)計(jì)人員開發(fā)出具有更高輸入電壓，提供最佳性能的高度可靠的系統(tǒng)，以支持需要低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗的應(yīng)用。 IGBT 具有高電流處理能力、正溫度系數(shù)、緊密的參數(shù)分布和寬安全工作區(qū)。 更高的擊穿電壓提高了負(fù)環(huán)境溫度下的可靠性。 隨著溫度下降，IGBT 和 RFD 的阻斷電壓也會(huì)隨之降低，使得這些器件極其適用于在寒冷地區(qū)安裝的光伏太陽能逆變器。 因?yàn)?IGBT 和續(xù)流二極管的選用是實(shí)現(xiàn)高能效的關(guān)鍵，ON Semiconductor IGBT 提供快速軟恢復(fù)，降低了功率耗散并實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通和關(guān)斷損耗。 ON Semiconductor FS 技術(shù)帶來了高性能，同時(shí)又不犧牲可靠性和堅(jiān)固性，并致力于持續(xù)改進(jìn) IGBT 性能。 我們的第四代技術(shù)開發(fā)實(shí)現(xiàn)了出色的平衡特性和更穩(wěn)固的動(dòng)態(tài)閂鎖效應(yīng)，其性能優(yōu)于任何其它 FS IGBT。白皮書 - 詳細(xì)分析和性能結(jié)果