
碳化硅 (SiC) 肖特基二極管

使用來(lái)自 ON Semiconductor 的碳化硅 (SiC) 二極管(Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes)設(shè)計(jì)下一代電源系統(tǒng)
發(fā)布時(shí)間:2018-06-13
ON Semiconductor 的碳化硅 (SiC) 肖特基二極管使用一種全新的技術(shù),可為硅提供出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。無(wú)反向恢復(fù)電流、溫度獨(dú)立的開(kāi)關(guān)特性和出色的熱性能,使碳化硅成為下一代功率半導(dǎo)體。系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)包括極高能效、更快的工作頻率、更高的功率密度、更低的 EMI 和更低的系統(tǒng)尺寸和成本。ON Semiconductor 推出具有一系列電流和封裝選擇的 650V 和 1200V 器件,將下一代電源系統(tǒng)的能效和功率密度的設(shè)計(jì)范圍提升到新的高度。
碳化硅 (SiC) 肖特基二極管特性
無(wú)反向 QRR 恢復(fù),無(wú)正向恢復(fù)
低正向電壓(更低的導(dǎo)通損耗)
工作溫度范圍內(nèi)的漏泄穩(wěn)定性
獨(dú)立于溫度的開(kāi)關(guān)特性
更高的浪涌和雪崩能力
正溫度系數(shù)
更高工作溫度(TJMAX = 175 °C)
碳化硅 (SiC) 肖特基二極管應(yīng)用
太陽(yáng)能光伏逆變器 (PV)
功率因數(shù)校正 (PFC)
電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車充電器
不間斷電源 (UPS)
電信和服務(wù)器電源
| 圖片 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | 產(chǎn)品型號(hào) | 產(chǎn)品分類 | 產(chǎn)品描述 | 價(jià)格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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