
P 溝道 MOSFET

Vishay 的 p 溝道 MOSFET (P-Channel MOSFETs)具有最低單位面積導(dǎo)通電阻,實(shí)現(xiàn)最小的 PCB
發(fā)布時(shí)間:2018-06-13
Vishay Siliconix p 溝道 TrenchFET? 第三代和第四代 MOSFET 是具有最低單位面積導(dǎo)通電阻的 p 溝道 MOSFET,僅為此前業(yè)內(nèi)最佳值的一半。
最低單位面積導(dǎo)通電阻可實(shí)現(xiàn)最小的 PCB
更低的電壓降提高了效率和電池運(yùn)行時(shí)間
雙通道器件使電池充電器設(shè)計(jì)能夠降低潛在元件數(shù)
Vishay p 溝道 TrenchFET 第三代和第四代 MOSFET 具有各種各樣的封裝尺寸和導(dǎo)通電阻額定值,適合寬范圍的應(yīng)用。此外,低導(dǎo)通電阻可實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通損耗,節(jié)省電力和延長(zhǎng)每次充電的電池使用壽命。
P 溝道 MOSFET特性
達(dá)到 p 溝道 MOSFET 的最低單位面積導(dǎo)通電阻,僅為此前業(yè)內(nèi)最佳值的一半
SO-8 封裝面積降至低于 2 mΩ
低導(dǎo)通損耗,節(jié)省電池供電型系統(tǒng)的電源
多種封裝尺寸,從 PowerPAK SO-8? 到 1.6 mm x 1.6 mm PowerPAK SC-75 和 0.8 mm x 0.8 mm 芯片尺寸的 MICRO FOOT?
P 溝道 MOSFET應(yīng)用
電池供電型設(shè)備
筆記本電腦、平板電腦
游戲機(jī)
消費(fèi)電子
可穿戴設(shè)備
| 圖片 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | 產(chǎn)品型號(hào) | 產(chǎn)品分類 | 產(chǎn)品描述 | 價(jià)格 | 操作 |
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