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SiR626DP-T1-RE3 TrenchFET? 第四代功率 MOSFET
Vishay 的 SiR626DP-T1-RE3 60 V N 溝道 MOSFET （SiR626DP-T1-RE3 TrenchFET? Gen IV Power MOSFET）具有業(yè)內(nèi)一流的 RDS(ON) - Qg 品質(zhì)因數(shù) (FOM)
發(fā)布時(shí)間：2018-06-13
Vishay 的 SIR626DP-T1-RE3 TrenchFET? 第四代功率 MOSFET 擁有業(yè)內(nèi)很低的導(dǎo)通電阻和柵極總電荷。該器件采用 PowerPAK SO-8 封裝，優(yōu)化了互連設(shè)計(jì)，從而將封裝電阻減小了 66%。
SiR626DP-T1-RE3 TrenchFET? 第四代功率 MOSFET特性
TrenchFET? 第四代功率 MOSFET
較低的 RDS - Qg FOM
經(jīng)過調(diào)諧，實(shí)現(xiàn)了最小 RDS - QOSS FOM
SiR626DP-T1-RE3 TrenchFET? 第四代功率 MOSFET應(yīng)用
同步整流
初級(jí)側(cè)開關(guān)
DC/DC 轉(zhuǎn)換器
太陽能微型逆變器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)開關(guān)
電池和負(fù)載開關(guān)
工業(yè)
| 圖片 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | 產(chǎn)品型號(hào) | 產(chǎn)品分類 | 產(chǎn)品描述 | 價(jià)格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | SIR626DP-T1-RE3 | MOSFETs-晶體管 | ￥4.84480 | 在線訂購 |
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