購物車
上傳BOM
下一代 SiC 肖特基勢壘二極管
Microsemi 的肖特基勢壘二極管產(chǎn)品（Next Generation SiC Schottky Barrier Diodes）是電氣化應(yīng)用的理想選擇
發(fā)布時間：2018-06-13
Microsemi 宣布推出 1200 V、10 A 和 20 A SiC 肖特基勢壘二極管產(chǎn)品，同時 30 A 和 50 A SiC 二極管即將出爐。憑借相比競爭產(chǎn)品高出 20% 的雪崩能量/UIS 額定值、高重復浪涌電流穩(wěn)健性以及固有的 SiC 效率和系統(tǒng)成本優(yōu)勢，Microsemi SiC 二極管成為像高電壓 HEV/EV 充電站模塊中 PFC 和輸出整流、車載充電器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、能量回收系統(tǒng)和開關(guān)模式電源這樣的電氣化應(yīng)用的理想選擇。
下一代 SiC 肖特基勢壘二極管特性
在更高電壓 (> 650 V) 和更高開關(guān)頻率下具體能效優(yōu)勢
更低的正向電壓 (VF) 可實現(xiàn)更低的靜態(tài)損耗和更高的能效
低 EMI 幾乎完全防止了硬開關(guān)期間的反向恢復充電 (Qrr)
更高溫度 (+175°C) 下穩(wěn)定工作
在相同的物理尺寸、更低的成本（更小的磁性元件和濾波器、更少的冷卻/散熱器成本等）條件下，系統(tǒng)效率實現(xiàn)了 25% 的功率輸出增加
| 圖片 | 數(shù)據(jù)手冊 | 產(chǎn)品型號 | 產(chǎn)品分類 | 產(chǎn)品描述 | 價格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | MSC010SDA120B | 時鐘/計時 - IC 電池 | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO247 | 在線訂購 | |
| | MSC020SDA120B | 電子元器件-待分類商品 | SILICON CARBIDE DIODE | 在線訂購 | |
 | | MSC010SDA120K | 電子元器件-待分類商品 | SILICON CARBIDE DIODE | 在線訂購 | |
| | MSC030SDA120B | 綜合元器件-綜合類目 | MSC030SDA120B | 在線訂購 | |
 | | MSC010SDA070K | 時鐘/計時 - IC 電池 | DIODE SCHOTTKY 700V 10A TO220-3 | 在線訂購 | |
| | MSC030SDA070K | 時鐘/計時 - IC 電池 | DIODE SCHOTTKY 700V 30A TO220-3 | 在線訂購 | |
| | MSC015SDA120B | 時鐘/計時 - IC 電池 | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 15A TO247 | 在線訂購 | |
| | MSC050SDA070B | 電子元器件-待分類商品 | SILICON CARBIDE DIODE | 在線訂購 |
工商網(wǎng)監(jiān)