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DRV5012 數(shù)字鎖存霍爾效應(yīng)傳感器
Texas Instruments 的 DRV5012 超低功耗數(shù)字鎖存霍爾效應(yīng)傳感器（DRV5012 Digital-Latch Hall Effect Sensor），VCC 范圍為 1.65 V 至 5.5 V
發(fā)布時(shí)間：2018-06-13
Texas Instruments 的 DRV5012 器件是一款超低功耗數(shù)字鎖存霍爾效應(yīng)傳感器，具有可通過選擇的采樣率。
當(dāng)南磁極靠近封裝頂部并超過 BOP 閾值時(shí)，器件將驅(qū)動(dòng)一個(gè)低電壓。該輸出會(huì)保持低電平直至施加北磁極且 BRP 閾值被超越，這將導(dǎo)致輸出驅(qū)動(dòng)高電壓。需要交替北極和南極來切換輸出，集成磁滯將 BOP 和 BRP 分開以提供可靠的切換。
DRV5012 器件使用了一個(gè)使用內(nèi)部振蕩器，采樣磁場(chǎng)并根據(jù) SEL 引腳以 20 Hz 或 2.5 kHz 的速率更新輸出。這種雙帶寬功能允許系統(tǒng)只需使用最小的功率即可監(jiān)控運(yùn)動(dòng)的變化。
該器件工作在 1.65 V 至 5.5 V 的 VCC 范圍，并采用小 X2SON 封裝。
DRV5012 數(shù)字鎖存霍爾效應(yīng)傳感器特性
業(yè)界領(lǐng)先的低功耗
引腳可選采樣率：
SEL = 低：20 Hz，使用 1.3 μA（1.8 V）時(shí)
SEL = 高：2.5 kHz，使用 142 μA（1.8 V）時(shí)
工作 VCC 電壓范圍為 1.65 V 至 5.5 V
高磁敏度：±2 mT（典型值）
強(qiáng)磁滯：4 mT（典型值）
推挽式 CMOS 輸出
小而薄的 X2SON 封裝
-40°C 至 +85°C 工作溫度范圍
DRV5012 數(shù)字鎖存霍爾效應(yīng)傳感器應(yīng)用
增量旋轉(zhuǎn)編碼：
電機(jī)速度
機(jī)械行程
流體測(cè)量
旋鈕旋轉(zhuǎn)
輪速
無刷直流電機(jī)傳感器
便攜式醫(yī)療設(shè)備
電子鎖，電動(dòng)自行車，電動(dòng)百葉窗
流量計(jì)
非接觸式激活
| 圖片 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | 產(chǎn)品型號(hào) | 產(chǎn)品分類 | 產(chǎn)品描述 | 價(jià)格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | DRV5012AEDMRT | 霍爾開關(guān)-傳感器 | DRV5012 低功耗（低至 3.3μA）、低電壓（最高 5.5V）霍爾效應(yīng)鎖存器 | ￥5.40830 | 在線訂購 |
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