
R-REF01-HB 通用半橋參考設計

RECOM 的半橋參考設計(R-REF01-HB Universal Half-Bridge Reference Design)非常適合用于評估開關晶體管
發(fā)布時間:2018-06-13
RECOM 通用半橋參考設計可用于比較各種高功率 IGBT、第 1/第 2 代 SiC、GaN、MOSFET 和共源共柵開關技術的性能。柵極驅動器和 PCB 布局對于每一種晶體管類型均相同,因此工程師們能比較開關性能,并根據(jù)其應用選擇合適的技術。
參考設計包括半橋布局,帶有使用隔離式電源的完全隔離式驅動器級,適用于低壓側和高壓側開關晶體管。這種封裝包括四個不同的 DC/DC 轉換器,可針對不同的晶體管類型生成合適的隔離式驅動器電壓組合。工程師們因此可以選擇來自首選供應商的 TO247 或 TO247-4L(Kelvin 連接)封裝開關晶體管,配合適當?shù)?DC/DC 轉換器以匹配,然后快速開發(fā)原型并測試其應用。
作為基本構建塊,這種參考設計可用于評估正向、反激式、降壓和升壓拓撲結構,并通過將兩個或多個裝置相結合,該器件可用于評估全橋和三相橋式電路。PCB 針對高達 1000 V 電壓和 10 A 柵極驅動電流的高速開關進行了優(yōu)化。電源接地與信號接地電位隔離,板載 BNC 插座用于高速連接到外部 TTL 信號發(fā)生器。由于高壓側和低壓側控制相互獨立,這種參考設計還可用于實現(xiàn)非對稱占空比、有源箝位和相移全橋拓撲結構。
布局

R-REF01-HB 通用半橋參考設計特性
半橋電壓高達 1 kV
TTL 兼容信號輸入
單 15 V 至 42 V 電源
擊穿保護
采用獨立輸入的低壓側和高壓側開關,適用于不同的拓撲結構
R-REF01-HB 通用半橋參考設計應用
IGBT、SiC 和 GaN 驅動器電路
電機控制單元
通用逆變器
不間斷電源
焊機
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