IXYS 的 Depletion-Mode D2? 功率 MOSFET 性能獨(dú)特，無法用常見的同類增強(qiáng)型器件替代。 與常規(guī)的 N 溝道增強(qiáng)模式型器件不同，耗盡模式功率 MOSFET 需要零柵極偏置電壓導(dǎo)通、負(fù)柵極偏置電壓關(guān)斷，但其他器件則沒有類似特性。 “常開”工作模式結(jié)合更強(qiáng)的線性工作能力，使這些器件成為電流源、電流調(diào)節(jié)器、固態(tài)繼電器、電平轉(zhuǎn)換、有源負(fù)載、啟動(dòng)電路和有源功率濾波器的理想器件。

這些器件的阻斷電壓為 500 V 至 1000 V，導(dǎo)通電阻 (Rdson) 低至 500 mΩ（最大值），漏電流額定值高達(dá) 6 A。它們?cè)谟糜陔x線應(yīng)用中的線路接口時(shí)能夠提供簡(jiǎn)化的控制并減少了線路電壓耗散。 由于這些器件無需電能或柵極電壓即可打開，因此可通過將器件實(shí)現(xiàn)到零功率“常開”負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高能效。 憑借高度電流調(diào)節(jié)能力，這些器件在電源濾波器應(yīng)用中可充當(dāng)高動(dòng)態(tài)阻抗的有源電感器使用，從而限制電壓和電流噪聲以及尖峰。 此外，這些器件可提供主動(dòng)電路保護(hù)，以限制短路或過載條件下的浪涌電流。